[实用新型]一种电机驱动芯片的电流衰减模式检测电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电机驱动芯片的电流控制，尤其涉及一种电机驱动芯片的电流衰减模式的控制。 

背景技术

步进电机是一种将电脉冲信号转变为角位移或线位移的开环控制元步进电机件。当步进驱动器接收到脉冲信号后，就驱动步进电机按设定的方向转动一个固定的角度，即步距角，步进电机的旋转是以固定的角度一步一步运行的。步进电机可以通过控制脉冲个数控制角位移量，以达到准确定位的目的，同时可通过控制脉冲频率控制电机转动的速度和加速度，以达到调速的目的。 

目前，步进电机对步距角基本上采用电流细分法进行细分。将电机线圈中电流按照正弦波离散后得到的电流点作为细分点，当电机线圈的电流达到了设定的细分点后，通过电路控制电机线圈电流进入衰减过程。否则步进电机将会出现角度过冲的后果，造成步进电机定位不准，运行过程不平稳等不良现象。并且根据步进电机的运行速度不同，采取的电流衰减模式也相应变化。电流衰减模式分为三类：快衰减模式、慢衰减模式和混合衰减模式。 

快衰减模式适用于高速运转的步进电机；而慢衰减模式适用于低速运转的步进电机。相较于快衰减模式和慢衰减模式，当要求步进电机运行震动小、噪音低时，需要采用混合衰减模式，即快衰减模式和慢衰减模式共同组成。因此步进电机驱动电路需要实时检测电机运行的速度，否则当电机运行速度由告诉降低到低速后，依然采用快衰减模式会导致电机无力，严重时会出现丢步、失步现象；同时当步进电机运行速度由低速升高至高速后，依然采用慢衰减模式就会导致电机剧烈震动，发出大量噪音的情况。 

因此，本领域的技术人员致力于开发一种适用于步进电机驱动芯片的电流检测电路，以达到更好的控制电机线圈中电流的上升、衰减过程，同时根据步进电机的运行速度智能的选择快衰减模式、慢衰减模式和混合衰减模式，提高了电机特别是步进电机运行的性能。 

实用新型内容

有鉴于现有技术的上述缺陷，本实用新型所要解决的技术问题是提供一种电机驱动芯片的电流衰减模式检测电路，以达到控制步进电机线圈中电流的上升和衰减 过程，同时智能选择电流的衰减模式。 

为实现上述目的，本实用新型提供了一种电机驱动芯片的电流衰减模式检测电路，其特征在于，包括电流衰减时间控制电路、数字逻辑控制电路、以及外接并联电路； 

所述电流衰减时间控制电路包括若干PMOS管、若干NMOS管、核心电路和电流镜结构； 

所述核心电路包括双极型晶体管（Q0）、双极型晶体管（Q1）、双极型晶体管（Q2）、双极型晶体管（Q3）、电阻（R0）、电阻（R1）、电阻（R2）和电阻（R3）；所述双极型晶体管（Q0）的集电极连接至电源V_DD上，所述双极型晶体管（Q0）基极的一侧通过所述电阻（R0）和所述PMOS管（MP5）与所述电源V_DD相连，所述双极型晶体管（Q0）基极的另一侧通过所述电阻（R1）、所述电阻（R2）和所述NMOS管（MN1）与所述双极型晶体管（Q0）的发射极相连；所述双极型晶体管（Q1）的基极与所述双极型晶体管（Q2）的发射极相连，所述双极型晶体管（Q1）的发射极通过所述电阻（R3）与所述双极型晶体管（Q3）的发射极相连；所述双极型晶体管（Q2）的基极和集电极之间通过所述电阻（R2）相连；所述双极型晶体管（Q3）的基极与集电极之间通过若干NMOS管相连；使能信号EN通过所述PMOS管（MP5）的栅极接入所述电流衰减时间控制电路； 

所述电流镜结构包括PMOS管（MP0）、PMOS管（MP1）、PMOS管（MP2）、PMOS管（MP3）和PMOS管（MP4），所述PMOS管（MP0）的栅极、所述PMOS管（MP1）的栅极、所述PMOS管（MP2）的栅极、所述PMOS管（MP3）的栅极和所述PMOS管（MP4）的栅极皆连接到偏置电流Ibias上；所述PMOS管（MP0）的源极、所述PMOS管（MP1）的源极、所述PMOS管（MP2）的源极、所述PMOS管（MP3）的源极和所述PMOS管（MP4）的源极皆连接到所述电源V_DD上；所述PMOS管（MP0）的漏极、所述PMOS管（MP1）的漏极、所述PMOS管（MP2）的漏极、所述PMOS管（MP3）的漏极和所述PMOS管（MP4）的漏极与所述核心电路相连；并在所述PMOS管（MP3）的漏极与所述NMOS管（MN4）的漏极之间输出电压V_A，在所述PMOS管（MP4）的漏极和所述NMOS管（MN5）之间输出电压V_B；