[实用新型]一种电机驱动芯片的电流衰减模式检测电路

权利要求书

1.一种电机驱动芯片的电流衰减模式检测电路，其特征在于，包括电流衰减时间控制电路、数字逻辑控制电路、以及外接并联电路；

所述电流衰减时间控制电路包括若干PMOS管、若干NMOS管、核心电路和电流镜结构；使能信号通过所述PMOS管（MP5）的栅极接入所述电流衰减时间控制电路；

所述核心电路包括双极型晶体管（Q0）、双极型晶体管（Q1）、双极型晶体管（Q2）、双极型晶体管（Q3）、电阻（R0）、电阻（R1）、电阻（R2）和电阻（R3）；所述双极型晶体管（Q0）的集电极连接至电源V_DD上，所述双极型晶体管（Q0）基极的一侧通过所述电阻（R0）和所述PMOS管（MP5）与所述电源V_DD相连，所述双极型晶体管（Q0）基极的另一侧通过所述电阻（R1）、所述电阻（R2）和所述NMOS管（MN1）与所述双极型晶体管（Q0）的发射极相连；所述双极型晶体管（Q1）的基极与所述双极型晶体管（Q2）的发射极相连，所述双极型晶体管（Q1）的发射极通过所述电阻（R3）与所述双极型晶体管（Q3）的发射极相连；所述双极型晶体管（Q2）的基极和集电极之间通过所述电阻（R2）相连；所述双极型晶体管（Q3）的基极与集电极之间通过若干NMOS管相连；

所述电流镜结构包括PMOS管（MP0）、PMOS管（MP1）、PMOS管（MP2）、PMOS管（MP3）和PMOS管（MP4），所述PMOS管（MP0）的栅极、所述PMOS管（MP1）的栅极、所述PMOS管（MP2）的栅极、所述PMOS管（MP3）的栅极和所述PMOS管（MP4）的栅极皆连接到偏置电流Ibias上；所述PMOS管（MP0）的源极、所述PMOS管（MP1）的源极、所述PMOS管（MP2）的源极、所述PMOS管（MP3）的源极和所述PMOS管（MP4）的源极皆连接到所述电源V_DD上；所述PMOS管（MP0）的漏极、所述PMOS管（MP1）的漏极、所述PMOS管（MP2）的漏极、所述PMOS管（MP3）的漏极和所述PMOS管（MP4）的漏极与所述核心电路相连；并在所述PMOS管（MP3）的漏极与所述NMOS管（MN4）的漏极之间输出电压V_A，在所述PMOS管（MP4）的漏极与所述NMOS管（MN5）的漏极之间输出电压V_B；

所述外接并联电路连接在所述电流衰减时间控制电路的所述NMOS管（MN6）的漏极和源极之间，包括电阻（R_T）和电容（C_T），所述电阻（R_T）和所述电容（C_T）是并行连接的，在所述NMOS管（MN6）的漏极与所述完结并联电路连接处输出电压V_c；

所述数字逻辑控制电路包括比较器、锁存器和逻辑门电路，所述数字逻辑控制电路的输入信号分别为衰减信号、外接电压V_PFD和所述输出电压V_A、V_B和V_C，所述输出电压V_C通过所述比较器与外接电压V_PFD比较，将结果输出到驱动模块；所述输出电压V_A输入到所述锁存器中，所述输入电压V_B与所述衰减信号先经过所述逻辑门电路，再输入到所述锁存器中；从所述锁存器输出的信号一部分做为交换信号（switch）输出，另外一部分输出给所述Drive模块；所述交换信号（switch）通过所述PMOS（MP8）栅极接入所述电流衰减时间控制电路。

2.如权利要求1所述的一种电机驱动芯片的电流衰减模式检测电路，其中，当所述输出电压V_A处于低电平时，电机的线圈电流处于上升阶段，当所述输出电压V_A处于高电平时，电机的线圈电流处于衰减阶段。

3.如权利要求1所述的一种电机驱动芯片的电流衰减模式检测电路，其中，当所述输出电压V_B处于低电平时，对所述衰减信号进行保持；当所述输出电压V_B处于高电平是，对所述衰减信号进行屏蔽。

4.如权利要求1所述的一种电机驱动芯片的电流衰减模式检测电路，其中，当所述输出电压V_C处于低电平时，电机线圈电流处于慢衰减阶段，当所述输出电压V_C处于高电平时，电机线圈电流处于快衰减阶段。