[实用新型]阵列基板以及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板以及显示装置。

背景技术

随着科学技术的发展，平板显示装置已取代笨重的CRT(Cathode Ray Tube,阴极射线管)显示装置日益深入人们的日常生活中。目前，常用的平板显示装置包括LCD（Liquid Crystal Display：液晶显示装置）、PDP（Plasma Display Panel：等离子显示装置）和OLED（Organic Light-Emitting Diode:有机发光二极管）显示装置。

其中，LCD和有源矩阵驱动式OLED（Active Matrix Organic Light Emission Display，简称AMOLED）显示装置中都由集成在阵列基板中的薄膜晶体管（Thin Film Transistor：简称TFT）作为控制器件，从而实现图像显示。其中，薄膜晶体管主要包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极。

目前，有源层通常采用含硅材料或金属氧化物半导体材料形成。采用金属氧化物半导体材料作为有源层，薄膜晶体管具有较好的开态电流、开关特性，且迁移率高，均匀性好，不需要增加补偿电路，可用于需要快速响应和较大电流的应用，如应用于高频、高分辨率、中大尺寸的LCD以及OLED显示装置中。同时，金属氧化物半导体材料形成有源层的制作工艺简单，采用溅射等方法即可，与现有的LCD产线匹配性好，容易转型，不需增加额外的设备，具有成本优势。

随着人们对高像素（高PPI）显示的需求，也促使阵列基板进行改进，目前已出现了在阵列基板中增加树脂层的结构，树脂层设置在数据线的上方。树脂层能减少集成电容的使用，因此有利于提高阵列基板的开口率，使得有效像素面积增大；同时也减少了逻辑功耗，极大地降低了功耗，提高了产品的性能，使得高像素（高PPI）显示前进了一步。

高像素显示装置的一个典型代表是高级超维场转换技术ADSDS（ADvanced Super Dimension Switch，简称ADS）液晶显示装置。ADS型阵列基板中通常包括位于液晶盒同一侧的像素电极层与公共电极层，像素电极层与公共电极层间产生的电场，使液晶盒内的所有液晶分子都能够发生偏转，从而提高了液晶工作效率并增大了视角。但是，目前采用金属氧化物半导体材料作为有源层并增加树脂层的ADS型阵列基板，在制备工艺中一般需要九次构图工艺。九次构图工艺分别为：在基板上沉积栅极导电薄膜，采用第一次构图工艺形成栅极；在栅极上沉积栅绝缘层，在栅绝缘层上沉积有源层，采用第二次构图工艺形成包括有源层的图形；在有源层上方形成刻蚀阻挡层膜，采用第三次构图工艺形成包括刻蚀阻挡层的图形；在刻蚀阻挡层上方沉积源漏导电薄膜，采用第四次构图工艺形成包括源极、漏极的图形；在源极、漏极上方形成第一钝化层膜，采用第五次构图工艺形成第一钝化层的图形以及第一钝化层中的过孔；在第一钝化层的上方形成树脂层膜，采用第六次构图工艺形成包括树脂层的图形；在树脂层上方形成第一电极层膜，采用第七次构图工艺形成板状电极；在板状电极的上方形成第二钝化层膜，采用第八次构图工艺形成包括第二钝化层的图形以及第二钝化层中的过孔；在第二钝化层的上方形成第二电极层膜，采用第九次构图工艺形成狭缝电极。

可见，增加了树脂层后，虽然提高了阵列基板的开口率，并在一定程度上降低了功耗，提高了产品的性能，但同时也使得阵列基板的制备工艺复杂化，降低了产能和产品良率。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种阵列基板以及显示装置，该阵列基板结构紧凑，制备方法仅包括六次构图工艺，简化了工艺，提高了产能，节约了成本。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是该阵列基板，包括基板以及设置于所述基板上的薄膜晶体管和驱动电极，所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极，所述驱动电极包括不同层设置、且在正投影方向上至少部分重叠的狭缝电极和板状电极，其中，所述源极、所述漏极与所述有源层为部分共底面结构，所述薄膜晶体管与所述板状电极之间还设置有树脂层。

优选的是，所述栅极设置于所述基板上方，所述栅极上方设置所述栅绝缘层，所述栅绝缘层上方间隔设置所述源极和所述漏极，且所述源极、所述漏极分别与所述栅极在正投影方向上部分重叠，所述有源层设置于所述源极与所述漏极形成的间隔区内、且分别延伸至所述源极与部分所述漏极的上方，使得所述源极、所述漏极与部分所述有源层的底面均设置于所述栅绝缘层顶面上。