[实用新型]阵列基板以及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括基板以及设置于所述基板上的薄膜晶体管和驱动电极，所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极，所述驱动电极包括不同层设置、且在正投影方向上至少部分重叠的狭缝电极和板状电极，其特征在于，所述源极、所述漏极与所述有源层为部分共底面结构，所述薄膜晶体管与所述板状电极之间还设置有树脂层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极设置于所述基板上方，所述栅极上方设置所述栅绝缘层，所述栅绝缘层上方间隔设置所述源极和所述漏极，且所述源极、所述漏极分别与所述栅极在正投影方向上部分重叠，所述有源层设置于所述源极与所述漏极形成的间隔区内、且分别延伸至所述源极与部分所述漏极的上方，使得所述源极、所述漏极与部分所述有源层的底面均设置于所述栅绝缘层顶面上。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的上方设置有第一保护层，所述第一保护层与所述有源层在正投影方向上完全重叠；所述树脂层设置于所述第一保护层的上方，所述板状电极设置于所述树脂层的上方，所述树脂层对应着设置有板状电极的区域的厚度大于其他区域的厚度，所述板状电极的上方设置有第二保护层，所述狭缝电极设置于所述第二保护层的上方。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述板状电极为公共电极，所述狭缝电极为像素电极；或者，所述板状电极为像素电极，所述狭缝电极为公共电极；所述阵列基板还包括与所述栅极同层设置的公共电极线，所述树脂层对应着所述漏极的区域开设有第一过孔、对应着所述公共电极线的区域开设有第二过孔，所述第二保护层对应着所述漏极的区域开设有第三过孔，所述栅绝缘层对应着所述公共电极线的区域开设有第四过孔，所述像素电极通过所述第一过孔和所述第三过孔与所述漏极电连接，所述公共电极通过所述第二过孔和所述第四过孔与所述公共电极线电连接。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述树脂层采用有机树脂形成，所述有机树脂包括丙烯酸类成膜树脂，酚醛树脂类成膜树脂，乙烯基聚合物成膜树脂或聚亚胺成膜树脂，所述树脂层的厚度范围为900-2100nm；

所述有源层采用金属氧化物半导体材料形成，所述金属氧化物半导体材料包括氧化铟镓锌、氧化铟、氧化锌或氧化铟锡锌，所述有源层的厚度范围为20-60nm。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极、所述公共电极线采用钼、钼铌合金、铝、铝钕合金、钛、铬或铜形成；所述栅极、所述公共电极线为单层或多层复合叠层结构，所述栅极、所述公共电极线的厚度范围为100-500nm；

所述源极和所述漏极采用氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化铟锡或氧化铟镓锡形成，所述源极和所述漏极的厚度范围为100-500nm。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极采用氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化铟锡或氧化铟镓锡形成，所述像素电极的厚度范围为20-110nm；所述公共电极采用氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化铟锡或氧化铟镓锡形成，所述公共电极的厚度范围为20-60nm。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一保护层和所述第二保护层为单层或多层复合叠层结构，采用硅氧化物、硅氮化物、铪氧化物或铝氧化物形成，所述第一保护层的厚度范围为90-210nm，所述第二保护层的厚度范围为190-310nm。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的阵列基板。