[实用新型]一种TO底座

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种用在半导体激光器同轴TO封装结构中的TO底座。

背景技术

TO(Transistor-Outline，同轴型)封装是一种自动化程度高，工艺成熟，且成本较低的器件封装方式，目前已经在通信领域广泛使用。市面上用于TO封装的TO底座，其结构包括一底座本体和设置于底座本体上的引线，引线与底座本体之间的缝隙通过玻璃焊料封装。对半导体激光器进行TO封装时，将TO底座的底座本体焊接于半导体激光器的管帽上，底座本体上的引线与激光器内的电路连接。

图1示出了现有半导体激光器进行TO封装后的剖面图。如图1所示，激光器管帽的底面与底座本体的上端面相贴，并焊接于底座本体的封焊平面上。现有TO底座的底座本体多采用金属材料制成，因此激光器管帽与TO底座进行封焊时产生的压力和热量通过热传递会对玻璃焊料封装区域产生相应的应力。对于现有传输速率较低且不需要制冷器的TO封装器件，其TO底座多为4根引线或5根引线。由于引线数量较少，且TO底座上的玻璃焊料封装区域多集中于TO底座的中心，因此需封焊部件与TO底座进行封焊时对玻璃焊料封装区域的影响并不大。但对于传输速率有较高要求且其内部需要制冷的TO封装器件，其TO底座则必须为多引线结构（如7根引线、9根引线，甚至10根引线），以用于连接TO封装器件中的制冷器、电阻或电感等元器件。

在底座本体尺寸相同的情况下，引线数量越多，引线在底座本体上的分布范围就越大，则底座本体上的封焊区域与玻璃焊料封装区域的距离就越近，因此封焊时产生的热量和压力会直接作用在玻璃封装区域，使玻璃封装区域产生较大的应力，极易造成玻璃焊料封装区域产生裂纹，从而使封装后器件的气密性不符合要求，造成器件的失效，降低器件的合格率，同时给器件可靠性带来巨大隐患。

由上可知，有必要提供一种TO底座，其能够减小需封焊部件封焊时产生的热量和压力对玻璃焊料封装区域的影响，从而保证器件封装后的气密性，提高产品合格率。

实用新型内容

本实用新型的发明目的在于提供了一种能够减小需封焊部件封焊时产生的热量和压力对玻璃焊料封装区域的影响，保证器件封装后的气密性，提高产品合格率的TO底座。

根据本实用新型的实施例，提供了一种TO底座，包括底座本体和焊接于所述底座本体上的多根引线，所述底座本体上设有与需封装器件进行焊接的封焊部；

所述封焊部相对于底座本体的上端面凸出设置，其中，

所述底座本体的上端面为所述底座本体中与所述需封装器件连接的端面。

优选地，所述封焊部与所述底座本体一体成型。

作为另一优选方案，所述封焊部焊接于所述底座本体上。

优选地，所述底座本体为圆柱体，所述封焊部为环形，所述封焊部的外径与所述底座本体的直径相同。

其中，所述封焊环相对于所述底座本体上端面的高度为0.4～0.7mm。

所述封焊环沿径向方向的宽度为1.2～1.8mm。

所述引线与所述底座本体之间的缝隙通过玻璃焊料进行封装。

所述引线的根数为至少7根。

优选地，所述引线的根数为10根。

其中，所述引线围绕所述底座本体的中心均匀分布。

优选地，所述底座本体由金属材料制成。

由上述技术方案可知，本实用新型中的TO底座能够将封焊时产生的热量和压力集中分布于凸出的封焊部上，而使封焊时产生的热量和压力远离玻璃焊料封装区域，从而减小封焊时的热量和压力对玻璃焊料封装区域的直接影响，从而保证封装器件的气密性，提高封装器件的合格率和可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，以下将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，以下描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员而言，还可以根据这些附图所示实施例得到其它的实施例及其附图。

图1示出了现有半导体激光器进行TO封装后的剖面图；

图2示出了本实用新型优选实施例中TO底座的结构剖面图；

图3示出了本实用新型中TO底座与封焊器件完成封焊后的组装图；

图4示出了设有10根引线的TO底座的引线分布图。

具体实施方式