[实用新型]一种开有斜槽的石英舟结构有效
申请号: | 201320226496.5 | 申请日: | 2013-04-28 |
公开(公告)号: | CN203225243U | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 赵之俊;刘明;赵峰 | 申请(专利权)人: | 康可电子(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 无锡华源专利事务所(普通合伙) 32228 | 代理人: | 冯智文 |
地址: | 214142 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 斜槽 石英 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体制造领域,尤其涉及一种用于制造石英件的,开有斜槽的石英舟结构。
背景技术
石英舟广泛应用于半导体制造工业,尤其在太阳能、分立器件芯片制造的扩散工艺上使用较为广泛,石英舟的作用是用来装置硅片,然后将其安装在炉管的桨上,由桨推入炉管内部进行掺杂及扩散工艺。
目前,传统的石英舟一般由纵向的石英棒以及横向连接的石英条组成,在纵向的石英棒上开有与水平面相垂直的槽并装置硅片,对于此种结构的石英舟,由于硅片的固定点有限,并且硅片与硅片之间呈平行竖直排列,当工艺气体设置为流量较大的时候,硅片易受流量影响产生晃动,造成碎片,另外这种与水平方向垂直的槽在出现磨损情况,相邻的两硅片易粘接在一起,影响气体的扩散均匀性。
实用新型内容
本申请人针对上述问题,进行了研究改进,提供一种结构简单、安装方便的开有斜槽的石英舟结构,减少了工艺碎片的情况,提高了气体的扩散均匀性。
本实用新型所采用的技术方案如下:
一种开有斜槽的石英舟结构,其特征在于:包括底座,底座上装置舟体,于舟体的两端设置可与搬运器插接的安装孔,在舟体上开有多个可供硅片插入的安装槽及导气孔。
其进一步技术方案在于:
所述安装槽为一斜槽,斜槽与垂直线之间形成2°~5°的夹角,于斜槽上还开有倒角,倒角的角度为59°~61°;
于舟体上,位于安装孔的内侧还装置手柄,手柄为长条形;
所述舟体上还开有长圆形插槽,长圆形插槽至少为5个;
所述舟体两腰线之间的形成的夹角α为119°~121°;
所述舟体上开有的导气孔至少为5个,导气孔为长圆形;
所述安装孔为4个。
所述底座为3个,分别位于舟体的前部、中部及后部。
本实用新型的有益效果如下:
本实用新型通过将舟体设计为弧形,同时将舟体上的槽设置成与垂直方向呈一定角度的斜槽,使硅片的排列方向一致,提高硅片与舟体的接触面积,避免以往因槽磨损而出现硅片倾斜或粘接的的情况,并大大降低了工艺碎片发生的几率,同时在舟体上还开有导气孔,大大提高了气体的扩散均匀性。
附图说明
图1为本实用新型的主视图。
图2为图1的俯视图。
图3为本实用新型斜槽的局部的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图,说明本实用新型的具体实施方式。
如图1、图2所示,本实用新型包括底座4,底座4为3个,底座4上装置舟体2,舟体2两腰线之间的形成的夹角α为119~121°,于舟体2的两端设置可与搬运器插接的安装孔3,安装孔3为4个。在舟体2上开有多个可供硅片插入的安装槽及导气孔5。舟体2上开有的导气孔5至少为5个,导气孔5为长圆形。如图3所示,安装槽为一斜槽201,斜槽201与垂直线之间形成2°~5°的夹角,于斜槽201上还开有倒角,倒角的角度为60°59°~61°。如图2所示,舟体2上,位于安装孔3的内侧还装置手柄6,手柄6为长条形。在舟体2上还开有长圆形插槽7,长圆形插槽7至少为5个,长圆形插槽7保证了舟体2进入炉内后与气体的充分交融、接触,上述底座4分别位于舟体2的前部、中部及后部
本实用新型的具体工作过程如下:
将硅片依次放入斜槽201内,由于斜槽具有一定角度,各硅片朝相同方向倾斜,利用手柄6拿起本实用新型,利用底座4安装在浆(图中未示出),通过桨将本实用新型推入炉内,通过导气孔5、长圆形插槽7、以及斜槽201,可使工艺气体与硅片充分接触,使硅片和舟接触的部分也得到均匀的掺杂和扩散。
本实用新型通过将舟体设计为弧形,同时将舟体上的槽设置成与垂直方向呈一定角度的斜槽,使硅片的排列方向一致,提高硅片与舟体的接触面积,避免以往因槽磨损而出现硅片倾斜或粘接的的情况,并大大降低了工艺碎片发生的几率,同时在舟体上还开有导气孔,大大提高了气体的扩散均匀性。
以上描述是对本实用新型的解释,不是对实用新型的限定,本实用新型所限定的范围参见权利要求,在不违背本实用新型的基本结构的情况下,本实用新型可以作任何形式的修改。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造