[实用新型]静电防护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种关于集成电路设计的静电防护电路。

背景技术

静电在多个领域造成严重危害。摩擦起电和人体静电是电子工业中的两大危害，常常造成电子电器产品运行不稳定，甚至损坏。目前，集成电路常使用的电压为5伏特或者更低，而在一般情况下的静电压可高达数千甚至数万伏特以上，其对半导体金属管的栅极氧化层的破坏是很大的。因此，当静电荷产生的时候，在还没有聚集成有破坏性的静电压前，即将静电荷放电，变成了静电防护电路的重要课题。

实用新型内容

本实用新型提供一种静电防护电路，其具有静电保护功能，且其静电放电速度快。

为解决上述的技术问题，本实用新型采用以下技术方案：

静电防护电路，它包括一电源线VDD，所述的电源线VDD电性连接在一P沟道场效应管的源极上，所述的P沟道场效应管的漏极连接在一N沟道场效应管的漏极上，所述的电源线VDD还电性连接在一稳压二极管的负极上，所述的稳压二极管正极连接在N沟道场效应管的源极上，所述的P沟道场效应管的栅极与其的源极相连，所述的N沟道场效应管的栅极与其的源极相连且同时接地。

更进一步的技术方案是:

作为优选，还包括一电阻，所述的电阻的两端分别连接在IO端口和P沟道场效应管的漏极上。

进一步的，所述的电阻的阻值在500欧姆到1000欧姆之间。

进一步的，所述的稳压二极管为PESDNC2ND5VB。

本实用新型可应用于电视、电脑的U盘接口、硬盘接口、以及手机、DVD、机顶盒、MP3、MP4、键盘、天线等任意具备数据读写、数据传输的电子设备的数据读写接口。在本实用新型中，电阻的一端口连接电子设备的IO端口，另一端同时与P沟道场效应管的漏极、N沟道场效应管漏极连接在电子设备的内部电路上，整个电路用于对静电放电。本静电防护电路提供4条静电泄放通路，即从电源线VDD到IO端口，IO端口到电源线VDD，地线到IO端口，IO端口到地线。

电源线VDD接地，IO端口加正静电电压，静电电流从P沟道场效应管的衬底寄生二极管直接流走。如果电源线VDD接地，IO端口加负静电电压，则静电电流依次流过N沟道场效应管,二极管和P沟道场效应管。

   如果地线接地时 ，IO端口加正静电电压，静电电流依次流过P沟道场效应管，二极管，N沟道场效应管。如果IO端口加负静电电压，则静电电流通过N沟道场效应管的衬底寄生二极管流走。

当有静电产生时，其能有效的将静电释放掉，以保护内部电路。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：其能防止静电，放电速度快，有效的保护电子设备的内部电路不受静电的干扰。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。

图1为本实用新型的电路图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。

[实施例]

如图1所示的静电防护电路，它包括一电源线VDD，所述的电源线VDD电性连接在一P沟道场效应管的源极上，所述的P沟道场效应管的漏极连接在一N沟道场效应管的漏极上，所述的电源线VDD还电性连接在一稳压二极管的负极上，所述的稳压二极管正极连接在N沟道场效应管的源极上，所述的P沟道场效应管的栅极与其的源极相连，所述的N沟道场效应管的栅极与其的源极相连且同时接地。

还包括一电阻，所述的电阻的两端分别连接在IO端口和P沟道场效应管的漏极上。

所述的电阻的阻值在500欧姆到1000欧姆之间。

所述的稳压二极管为PESDNC2ND5VB。

如上所述即为本实用新型的实施例。本实用新型不局限于上述实施方式，任何人应该得知在本实用新型的启示下做出的结构变化，凡是与本实用新型具有相同或相近的技术方案，均落入本实用新型的保护范围之内。