[实用新型]静电防护电路有效
| 申请号： | 201320221398.2 | 申请日： | 2013-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN203205421U | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 黄友华 | 申请（专利权）人： | 成都市宏山科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 防护 电路 | ||
【权利要求书】：
1.静电防护电路，其特征在于：它包括一电源线VDD，所述的电源线VDD电性连接在一P沟道场效应管的源极上，所述的P沟道场效应管的漏极连接在一N沟道场效应管的漏极上，所述的电源线VDD还电性连接在一稳压二极管的负极上，所述的稳压二极管正极连接在N沟道场效应管的源极上，所述的P沟道场效应管的栅极与其的源极相连，所述的N沟道场效应管的栅极与其的源极相连且同时接地。
2.根据权利要求1所述的静电防护电路，其特征在于：还包括一电阻，所述的电阻的两端分别连接在IO端口和P沟道场效应管的漏极上。
3.根据权利要求2所述的静电防护电路，其特征在于：所述的电阻的阻值在500欧姆到1000欧姆之间。
4.根据权利要求2所述的静电防护电路，其特征在于：所述的稳压二极管为PESDNC2ND5VB。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
