[实用新型]一种带隙基准电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子电路领域，尤其涉及一种带隙基准电路。

背景技术

带隙基准电路用来实现输出零温度系数基准电压，即输出与温度无关的恒定的电压。现有一种带隙基准电路如图1所示，此电路是利用M1和M2两个PMOS管形成电流镜，流过相同电流，从而保持M1和M2的漏电压相等。但是采样这样方案，因为MOS管的二阶效应，比如沟道长度调制效应，M1和M2的漏电压往往相差较大，性能会受到较大影响，带隙基准电路输出的零温度系数基准电压不准确，其温度系数不为零或者不恒定。

实用新型内容

本实用新型为解决上述问题，提供一种带隙基准电路，该电路输出具有零温度系数且电压恒定的基准电压。

本实用新型提供一种带隙基准电路，包括：共栅极和共源极的第一开关管、第二开关管和第三开关管，其共同源极接电源；共发射极和共基极的第一晶体管和第二晶体管，其共同发射极和共同基极接地，所述第一晶体管的集电极经第一电阻与第一开关管的漏极连接，所述第二晶体管的集电极与第二开关管的漏极连接，第二电阻的两端分别与第二开关管和第三开关管的漏极连接，所述第三开关管的漏极输出基准电压，以及运算放大器，所述运算放大器的负相输入端与第二开关管的漏极及第二晶体管的集电极连接，所述运算放大器的正相输入端与第一开关管的漏极及第一晶体管的集电极连接，所述运算放大器的输出端与第一开关管、第二开关管和第三开关管的栅极连接。

优选地，所述带隙基准电路还包括若干个与所述第一晶体管并联的第三晶体管。

优选地，所述第一开关管、第二开关管和第三开关管均为PMOS管。

优选地，所述第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管均为双极型三极管。

本实用新型提供一种带隙基准电路，相对于现有的带隙基准电路增加了一运算放大器，其与第一开关管和第一电阻形成负反馈环路，使第一开关管的漏电压和第二开关管的漏电压保持一致，提高了带隙基准电路输出的基准电压的准确度。

附图说明

图1是现有技术的带隙基准电路图；

图2是本实用新型的带隙基准电路图。

具体实施方式

为了使本实用新型所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

图1现有技术的带隙基准电路图，其中M1、M2为PMOS管，M1、M2形成电流镜，理论上其各自所在的支路电流相等，即M1的漏极端电压和M2的漏极端电压也近似相等。此时，电阻R₁上的电压差可以近似的表示为V_BE2-V_BE1，V_BE1是指双极型三极管Q1的基极和发射极之间的电压,V_BE2是指双极型三极管Q2的基极和发射极之间的电压。Q2的个数是1，Q1的个数是M，且M个Q1并联；PMOS管M3也与M1形成电流镜，放大倍数为N，电流通过电阻R₂流入Q2。这样R₁上的电流为其推导过程如下:

电阻R₁上电流为

VBEI=VTln(IM×IS),]]>

I是流入双极型三极管射极端的电流。I_S是指双极型三极管的饱和电流；V_T是热常数，(V_T=KT/q，K是指玻尔兹曼常数，T是指温度，q是电子电荷)。

把V_BE1和V_BE2表达式代入上述电阻R₁的电流表达式中,得到电阻R₁上的电流为