[实用新型]一种带隙基准电路

权利要求书

1.一种带隙基准电路，包括：共栅极和共源极的第一开关管、第二开关管和第三开关管，其共同源极接电源；共发射极和共基极的第一晶体管和第二晶体管，其共同发射极和共同基极接地，所述第一晶体管的集电极经第一电阻与第一开关管的漏极连接，所述第二晶体管的集电极与第二开关管的漏极连接，第二电阻的两端分别与第二开关管和第三开关管的漏极连接，所述第三开关管的漏极输出基准电压，其特征在于，还包括运算放大器，所述运算放大器的负相输入端与第二开关管的漏极及第二晶体管的集电极连接，所述运算放大器的正相输入端与第一开关管的漏极及第一晶体管的集电极连接，所述运算放大器的输出端与第一开关管、第二开关管和第三开关管的栅极连接。

2.如权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，还包括若干个与所述第一晶体管并联的第三晶体管。

3.如权利要求1或2所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一开关管、第二开关管和第三开关管均为PMOS管。

4.如权利要求1或2所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管均为双极型三极管。