[实用新型]应用在日光灯管上的发光二极管

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管，更为具体地，涉及一种应用在日光灯管上的发光二极管。 

背景技术

发光二极管（英文为Light Emitting Diode，简称LED）是半导体二极管的一种，它能将电能转化为光能，发出黄、绿、蓝等各种颜色的可见光及红外和紫外不可见光。与小白炽灯泡及氖灯相比，它具有工作电压和电流低、可靠性高、寿命长且可方便调节发光亮度等优点。这些优点使LED未来在日光灯管上的应用将会逐渐取代传统荧光灯管。 

目前，氮化镓基发光二色极管一般为铬、铂、金三层成分，二氧化硅保护层和N电极光罩图形没有重叠，导致二氧化硅保护层无法将N电极边缘完全包裹起来，导致此类发光二极管应用在日光灯管上时，由于市电或电源供应器的不稳定性，偶尔出现瞬间的高电压突波，造成N电极与外延层接触的铬成分发生电迁移现象，逐渐减小N电极与外延层的接触面积，而使电流密度增大，大量发热烧毁外延层，N电极脱离外延层，容易造成日光灯管发生死灯不良等现象。 

发明内容

本发明的目的即在于改进现有技术的上述局限，提供一种应用在日光灯管上的发光二极管。 

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种应用在日光灯管上的发光二极管，包括发光外延层，其包括第一半导体层、第二半导体层及夹在两层之间的发光层，其特征在于：还包括N电极结构，其由二氧化硅保护层和N电极构成，所述二氧化硅保护层将所述N电极四周边缘包裹起来。 

在本发明中，所述发光外延层为氮化镓基半导体层，其发射的光波的波长小于500nm，所述二氧化硅保护层的厚度为1000~5000埃。 

本发明使用PECVD（等离子增强化学气相沉积）生长二氧化硅保护层并优化光罩的方式将N电极四周边缘包裹起来，这样发光二极管应用在日光灯管上，在市电或电源供应器有瞬间高电压突波的情况时，由于有二氧化硅保护层将N电极四周边缘完全包裹起来，使N电极与外延层接触的铬成分无法发生电迁移现象，改善外延层因N电极逐渐脱离而烧毁导致的死灯不良异常。经过实验验证，可降低约50%的不良率。 

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。 

图1一种传统的发光二极管示意图。 

图2本发明实施的一种应用在日光灯管上的发光二极管示意图。 

图中部件符号说明： 

100：传统发光二极管；110，210：发光外延层；120，220：N电极铬层；130，230：N电极铂层；140，240：N电极金层；150，250：二氧化硅保护层；200：二氧化硅保护层包裹N电极边缘的发光二极管。

具体实施方式

以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。 

如图2所示，一种应用在日光灯管上的发光二极管200，包括发光外延层210，N电极铬层220、铂层230、金层240，二氧化硅保护层250。发光外延层210可以通过外延生长（如MOCVD）沉积在生长衬底（附图未示意出）上或通过覆晶技术粘结在散热性基板上。上述发光二极管200为蓝光系发光二极管，发光外延层材料为氮化镓基化合物，一般包括n-GaN层、量子阱发光层、p-GaN层。电极一般可形成于发光外延层210上，用于连通外部电源，激发p-n发光。二氧化硅保护层250将N电极边缘包裹起来，其厚度可为1000~5000埃。采用二氧化硅保护层光罩优化的方式，使二氧化硅保护层将N电极四周边缘完全包裹起来，使N电极与外延层接触的铬成分无法发生电迁移现象，改善外延层因N电极逐渐脱离而烧毁导致的死灯不良等异常现象。 

很明显地，本发明的说明不应理解为仅仅限制在上述实施例，而是包括利用本发明构思的全部实施方式。