[发明专利]电子束诱导沉积制备碳纳米管的方法

权利要求书

1.电子束诱导沉积制备碳纳米管的方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)将钨针尖和沾有半导体纳米线的银丝分别置于电学测试平台的正负两个电极上，并放入透射电子显微镜中；

2)此时电学测试平台中的钨针尖能在x、y、z三个方向进行移动，在另一端的银丝上选择一根纳米线，操控钨针尖与其接触，并利用电子束诱导沉积技术将钨针尖与纳米线进行连接，进而抽出纳米线；

3)将银丝换为另一根钨针尖，并利用银胶将其固定在电极上；

4)操控可移动的钨针尖使纳米线的另一端与刚置换的钨针尖接触，同样利用电子束诱导沉积技术使其连接，这样，半导体纳米线的两端分别与连接了电极的两根钨针尖相连接，形成闭合回路；

5)利用电子束诱导沉积技术在纳米线表面沉积一层均匀的非晶碳层；

6)调节加载偏压，电流产生的焦耳热将纳米线熔化，并且在电场的作用下将纳米线物质驱赶到外面，焦耳热也会使得表面的非晶碳层晶化形成层状结构的晶体，整个过程中利用透射电子显微镜实时监控该过程中其结构变化。

2.根据权利要求1所述的电子束诱导沉积制备碳纳米管的方法，其特征在于：将半导体纳米线阵列置于真空环境中，连接进闭合电路，利用电子束诱导沉积技术，通过聚焦电子束的辐照，诱导碳原子吸附，使其表面沉积一层均匀非晶碳层，通过调节电子束辐照时间控制非晶碳层的厚度，再对该阵列加载偏压，利用电流产生的焦耳热将纳米线融化，并在电场的作用下将其驱赶出纳米管，同时焦耳热使非晶碳层发生晶化，最终得到成阵列的碳纳米管。