[发明专利]LED器件结构有效
| 申请号： | 201310654326.1 | 申请日： | 2013-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103682022B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 刘亚柱;吕振兴;齐胜利 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属电极部 电极 绝缘层 块形 线形金属 电极部 互相连接 金属层 电流分布均匀性 透明导电层 方向延伸 互相分离 发光层 衬底 半导体 暴露 | ||
1.一种LED器件结构，其特征在于：所述LED器件结构包括：
半导体衬底，从下至上依次形成在半导体衬底上的N型半导体材料层、发光层和P型半导体材料层，所述P型半导体材料层和所述发光层中形成有开口以暴露出部分所述N型半导体材料层，所述P型半导体材料层上形成有P-电极，所述N型半导体材料层上形成有N-电极；
所述P-电极和所述N-电极互相分离，且均分别包括绝缘层、透明导电层和金属层，所述绝缘层位于所述P型半导体材料层和所述N型半导体材料层上，所述透明导电层位于所述绝缘层、所述P型半导体材料层和所述N型半导体材料层上，所述金属层位于所述透明导电层上，所述金属层包括互相连接的P-块形金属电极部和P-线形金属电极部与互相连接的N-块形金属电极部和N-线形金属电极部；
所述N-线形金属电极部自所述N-块形金属电极部起朝所述P-块形金属电极部的方向延伸，所述N-电极的绝缘层位于所述N-线形金属电极部的正下方；
所述N-电极的绝缘层为至少两个分离的子绝缘层，且所述N-线形金属电极部正下方的子绝缘层的宽度大于所述N-线形金属电极部的宽度；所述N-线形金属电极部将施加于N-块形金属电极部的电压产生的电流引入到接近所述P-线形金属电极部的区域。
2.根据权利要求1所述的LED器件结构，其特征在于：所述P型半导体材料层为P型GaN层，所述N型半导体材料层为N型GaN层，所述发光层为P型GaN层和N型GaN层之间的量子阱。
3.根据权利要求1所述的LED器件结构，其特征在于：所述N-线形金属电极部正下方包括2～5段互相分离的子绝缘层。
4.根据权利要求1所述的LED器件结构，其特征在于：所述子绝缘层的长度为100μm～150μm。
5.根据权利要求1所述的LED器件结构，其特征在于：相邻两所述子绝缘层的间距为10μm～100μm。
6.根据权利要求1所述的LED器件结构，其特征在于：所述P-线形金属电极部自所述P-块形金属电极部起朝所述N-块形金属电极部的方向延伸。
7.根据权利要求1所述的LED器件结构，其特征在于：所述绝缘层的材质为氧化硅或氮化硅。
8.根据权利要求7所述的LED器件结构，其特征在于：所述绝缘层的厚度为
9.根据权利要求1所述的LED器件结构，其特征在于：所述透明导电层的材质为氧化铟锡。
10.根据权利要求1所述的LED器件结构，其特征在于：一所述P-块形金属电极部连接有至少两条所述P-线形金属电极部，一所述N-块形金属电极部连接一所述N-线形金属电极部。
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