[发明专利]功率厚膜电阻器有效
申请号: | 201310645117.0 | 申请日: | 2013-12-05 |
公开(公告)号: | CN103632779A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 李福喜;李开锋;崔艳红;郑如涛;唐忠纪 | 申请(专利权)人: | 蚌埠市德瑞特电阻技术有限公司 |
主分类号: | H01C7/00 | 分类号: | H01C7/00;H01C1/08 |
代理公司: | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人: | 倪波 |
地址: | 233000 安徽省蚌*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 电阻器 | ||
技术领域
本发明涉及电子元器件领域,特别是一种功率厚膜电阻器。
背景技术
功率厚膜电阻器主要在一些特定环境、特定设备上使用,在使用时为了提高功率,需要安装在散热器上,通过散热器将电阻产生的热量迅速散发出去,因此,电阻器散热的快慢决定了电阻功率的大小。将电阻器的热量快速传到散热器上,降低电阻温升,可以提高电阻使用功率和寿命。现有的功率厚膜电阻器主要有下列两种结构:
1.传统的厚膜电阻器直接将瓷基板通过导热硅脂直接安装在散热器上,因瓷基板的导热系数为20w/m·k,其水平导热速度较慢,电阻基板温度不能快速均匀地传到散热器上,在大功率使用时易造成基板开裂。
2.改进的厚膜电阻是在瓷基板上焊接铜底板作为散热板,然后通过导热硅脂安装在散热器上,因铜的导热系数高,约为400w/m·k,其水平导热速度快,基板温度能快速均匀地通过铜底板传到散热器上,使电阻的温升下降,从而提高了电阻的功率。但因瓷基板和铜底板的热膨胀系数不同,当电阻尺寸较大时,导热片受热会向外拉伸变形,导致瓷基板弯曲变形甚至开裂,所以该结构只适用于功率200W以下、尺寸较小的电阻器上。
发明内容
本发明的目的在于提供一种体积小、功率大且性能稳定的功率厚膜电阻器,解决现有功率厚膜电阻器散热慢,体积大,性能不稳定的问题。
本发明的目的是通过以下技术方案予以实现的,功率厚膜电阻器,包括一面印刷内电极和电阻,另一面印刷背电极的电阻基板,其特征在于,所述电阻基板背电极的表面配合设置一块导热板,所述导热板包括一块瓷基板,瓷基板的内、外表面分别固定覆设内导热片和外导热片,所述内导热片与所述电阻基板背电极的表面面对面配合焊接固定。
进一步地,所述内导热片的表面镀制镍层,该镍层与电阻基板上的背电极面对面配合焊接固定。
进一步地,所述内导热片和外导热片均为铜片;所述电阻基板为氧化铝板或氮化铝板,所述瓷基板为氧化铝板或氮化铝板。
进一步地,所述电阻的表面还印刷有釉面保护层。
有益效果:本发明的创新点在于采用内、外表面双面焊接导热片的瓷基板代替现有单层铜底板作为导热板,焊接在电阻基板背电极的表面,内导热片表面镀制镍层,以提高与背电极的贴合效果,由于导热板是在瓷基板的双面焊接导热片,双面导热片受热变形会互相抵消,使导热板的热膨胀系数与电阻基板的热膨胀系数基本一致,克服了现有铜底板与电阻基板热膨胀系数不一致、在大尺寸使用时因热膨胀系数不一致造成电阻基板开裂的问题。本发明可以在相同体积下使电阻功率做到更大,而且性能稳定,不会受热变形,真正实现小体积、大功率的厚膜电阻器。
附图说明
图1为本发明实施例1的结构分解示意图;
图2为本发明实施例2的结构分解示意图。
具体实施方式
实施例1
如图1所示,产品采用氧化铝板或氮化铝板作为电阻基板6,采用厚膜丝网印刷工艺,在电阻基板6的上表面丝网印制内电极5和电阻4,电阻4的表面印刷有釉面保护层3,电阻基板6的下表面印制背电极7,内电极5通过引线2引出连接到外部接线柱1,电阻基板背电极7的表面焊接固定一块导热板,导热板包括一块瓷基板10(氧化铝板或氮化铝板),瓷基板10的内、外表面分别焊接内导热片9和外导热片11,内导热片9的表面镀制镍层8,背电极7和镍层8面对面配合焊接固定,内导热片9和外导热片11选用铜片,外导热片11的表面镀制镍层12以防止外导热片11氧化。本电阻器安装在散热器上使用时,导热板的外导热片直接与散热器接触,由于导热板采用双面覆铜,热传导快,散热性好,而且双面覆铜导热板的热膨胀系数与电阻基板基本一致,杜绝了电阻基板开裂的现象发生。
实施例2
如图2所示,包括实施例1的全部结构,为了进一步提高热传导速度,在电阻基板背电极7和导热板的镍层8之间加设一层导热片13,导热片13选用铜片。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制;任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例。因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰,均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
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