[发明专利]一种非易失性存储器的修复方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器的修复方法，其特征在于，包括：

开启所述非易失性存储器的修复模块；

所述修复模块判断是否执行对所述非易失性存储器的修复操作，如果不执行所述修复操作，则关闭所述修复模块；

如果执行所述修复操作，则所述修复模块对所述非易失性存储器的修复单元进行修复校验；

所述修复模块判断所述修复单元是否通过修复校验，如果没有通过所述修复校验，则所述修复模块对所述修复单元进行修复操作；

如果通过所述修复校验或在完成对所述修复单元的修复操作后，所述修复模块根据预设的控制位对所述修复单元对应的修复地址进行递增或递减并得到下一次的修复地址，同时将所述下一次的修复地址的高位地址保存在所述非易失性存储器的存储阵列中；

关闭所述修复模块。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器的修复方法，其特征在于，当所述修复模块首次进行修复校验时，所述非易失性存储器的修复单元为预设的初始修复地址的高位地址对应的修复单元。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器的修复方法，其特征在于，当所述修复模块再次进行修复校验时，所述非易失性存储器的修复单元为所述下一次的修复地址的高位地址对应的修复单元，其中，所述下一次的修复地址的高位地址为上一次执行完对所述非易失性存储器的修复操作时所保存在所述存储阵列中的修复地址的高位地址。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器的修复方法，其特征在于，所述修复模块对所述非易失性存储器的修复单元进行修复校验的方式为所述修复模块将所述非易失性存储器的修复单元的阈值电压与所述修复校验的基准电压进行比较。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器的修复方法，其特征在于，所述修复校验的基准电压包括读电压和校验电压，其中，所述读电压小于所述校验电压。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器的修复方法，其特征在于，在所述修复模块进行修复校验时，先进行所述读电压的修复校验，再进行所述校验电压的修复校验。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器的修复方法，其特征在于，当所述修复单元的阈值电压大于读电压且小于校验电压时，所述修复单元没有通过所述修复校验。

8.根据权利要求6所述的非易失性存储器的修复方法，其特征在于，当所述修复单元的阈值电压大于读电压且大于校验电压时，所述修复单元通过所述修复校验。

9.根据权利要求6所述的非易失性存储器的修复方法，其特征在于，当所述修复单元的阈值电压小于校验电压且小于读电压时，所述修复单元通过所述修复校验。

10.根据权利要求1所述的非易失性存储器的修复方法，其特征在于，当所述预设的控制位的值为1时，所述修复模块对所述修复单元的修复地址进行递增；

当所述预设的控制位的值为0时，所述修复模块对所述修复单元的修复地址进行递减。