[发明专利]一种非晶/纳米晶冷却辊的修复复合层及制备方法有效
申请号: | 201310588591.4 | 申请日: | 2013-11-21 |
公开(公告)号: | CN103895280A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 任翠霞;李晓雨;宋安康 | 申请(专利权)人: | 青岛云路新能源科技有限公司 |
主分类号: | B32B15/01 | 分类号: | B32B15/01;C22C9/00;C22C19/03;C23C24/10;C25D15/00;C23F17/00 |
代理公司: | 山东清泰律师事务所 37222 | 代理人: | 朱兵 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 冷却 修复 复合 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于材料科学技术领域,具体涉及一种非晶/纳米晶冷却辊的修复复合层及制备方法。
技术背景
非晶/纳米晶合金是由超急冷凝固,合金凝固时原子来不及有序排列结晶,得到的固态合金是长程无序结构,没有晶态合金的晶粒、晶界存在。现在的非晶/纳米晶生产技术是将1300℃的合金钢水浇到高速旋转的通水冷却的同辊上,瞬间冷却到200℃以下,形成非晶/纳米晶。
非晶/纳米晶冷却辊是生产非晶/纳米晶合金带材的关键设备,主要由导热性非常好的铜或铜合金做内衬,外面套有夹套通水冷却,使高温钢液瞬间冷却形成非晶/纳米晶薄带,非晶/纳米晶冷却辊质量好坏对非晶/纳米晶带材的生产和铸坯质量都有很大的影响。因此对非晶/纳米晶冷却辊进行修复,提高其耐磨性和耐热性,延长其使用寿命,对提高带材成型率,以及提高企业的技术经济效率具有十分重要的意义。在铜合金表面进行表面修复的方法有很多种,常见的有电镀和化学镀。但是电镀层厚度较薄(一般小于0.3mm),与基体形成结合力差的化学性结合;等离子喷涂层孔隙率高,与铜基体之间呈机械性结合,服役一段时间后易剥落。随着激光技术的广泛应用,非晶/纳米晶冷却辊表面涂层也可以采用激光熔覆技术制备,但是需要解决激光熔覆层出现的裂纹问题,而且直接在冷却辊上进行激光熔覆,冷却辊对激光束能量的吸收率低。
中国发明专利申请CN 1932082 A公开了一种《在结晶器表面快速熔覆制备耐磨抗热复合涂层工艺》,其工艺过程为A、结晶器铜板表面预处理;B、等离子喷涂预沉积打底合金;C、高功率激光器快速熔覆打底合金;D、高功率激光器宽带熔覆钴基合金;E、后续热处理。该专利选取与镍基自熔合金粉末(Ni-Cu-Si-B)作为打底层,在高功率低阶模起弧条件下进行激光快速熔覆,后期与铜板形成牢固的冶金结合,实现和机体材料良性的韧性;然后采用Co基合金,在结晶器铜板上进行送粉法激光宽带熔覆处理,形成均匀致密的优良抗热耐磨复合涂层。
但是上述冷却辊的修复方法,存在下述缺陷:1、需要先等离子喷涂打底,再采用5KW CO2激光器重熔,然后进行激光熔覆,工艺复杂,且等离子喷涂和高功率CO2激光器设备体积庞大,价格昂贵;2、虽然采用镍基合金粉末打底与Co基合金结合,解决了激光熔覆层裂纹的问题,但是由于在激光熔覆前对镍基合金层进行了重熔,是Co基合金的激光熔覆效率较低,冷却辊对激光束能量的吸收率低。
发明内容
为解决上述问题,本发明的目的在于提供一种非晶/纳米晶冷却辊的修复复合层,并提供该复合层的制备方法,使制得的复合涂层均匀致密、耐磨性和耐热性优异,并且具有熔覆效率高、冷却辊对激光束能量吸收率高的特点。
本发明的技术方案为:一种非晶/纳米晶冷却辊的修复复合层,该复合层由两层构成,连接基材的为铜基合金层,其按重量百分比计算其成分为:Ni 7~9%,Sn 8~12%,Co 5~15%,Si 0.8~2%,余量为Cu;另外一层为镍基合金层,其选自Ni-Co合金、Ni-P合金、Ni-Fe合金、Ni-Cr合金中的一种,其中Ni在合金中的重量含量为60-75%。
优化的,铜基合金层与镍基合金层的厚度比为1:1-2。
优化的,镍基合金层的粉末为球形或者椭球形,其粒度为109-250μm。
本发明提供的非晶/纳米晶冷却辊的修复复合层的制备方法,由以下步骤组成,
步骤一,冷却辊表面预处理
去除非晶/纳米晶冷却辊表面氧化层并清洗缺陷部位;
步骤二,电镀铜基合金层
在非晶/纳米晶冷却辊表面电镀铜基合金粉末,所述铜基合金粉末按重量百分比计算其成分为:Ni 7~9%,Sn 8~12%,Co 5~15%,Si 0.8~2%,余量为Cu;
步骤三,高功率激光器宽带熔覆镍基合金层
采取同步送粉方式喂入合金粉末,采用宽带熔覆方法在电镀铜基打底层上,熔覆镍基合金,所述镍基合金选自Ni-Co合金、Ni-P合金、Ni-Fe合金、Ni-Cr合金中的一种,其中Ni在合金中的重量含量为60-75%。
优化的,步骤二中电镀采用卧式电镀槽,镀液温度为40-50℃,电流密度为30-35mA/cm2,镀液采用空气搅拌。
优化的,步骤三中熔覆参数为:
熔覆功率P为3000-8000W
光斑直径为2-6mm
熔覆扫描速度V为5-8m/min
搭接率为40%-60%。
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