[发明专利]微电子构件和相应的制造方法

权利要求书

1.微电子构件，具有：

一半导体衬底（1；la），其具有一正面（O）和一背面（R）；

一在所述衬底（1）的正面（O）上的能弹性偏转的质量装置（M）；

至少一个设置在所述质量装置（M）中或上的源区（10；10'）；

至少一个设置在所述质量装置（M）中或上的漏区（D1-D4；D1'-D10'）；以及

至少一个在所述源区（10；10'）和所述漏区（D1-D4；D1'-D10'）上面悬挂在一印制电路系统（LBA）上的栅区（20；20'），所述栅区通过一间隙（100）与所述质量装置（M）间隔开；

其中，所述印制电路系统（LBA）这样地在所述衬底（1）的正面（O）上锚固在所述质量装置（M）的周边（P）中，使得所述栅区（20；20'）在所述质量装置（M）偏转的情况下保持固定。

2.按照权利要求1所述的微电子构件，其中，所述印制电路系统（LBA）具有多个嵌入一绝缘层（3）中的印制电路平面（LB1-LB4），所述印制电路平面经由通孔（V）彼此垂直连接，并且其中，所述栅区（20；20'）悬挂在所述印制电路平面（LB1-LB4）中的至少一个印制电路平面上。

3.按照权利要求2所述的微电子构件，其中，用于所述漏区（D1-D4；D1'-D10'）和/或所述源区（10；10）的电联接导线（A1-A8）在所述质量装置（M）上面的第一多晶硅层（P1）中绝缘地引导，并且其中，所述漏区（D1-D4；D1'-D10'）和/或所述源区（10；10'）经由各自的接触桥（BK1-BK8）与所属的联接导线（A1-A8）连接。

4.按照权利要求3所述的微电子构件，其中，所述接触桥（BK1-BK8）布置在所述绝缘层（3）相应的孔（L2、L3）中。

5.按照权利要求1到4中任一项所述的微电子构件，其中，设置一中央源区（10 ；10'），并且其中，设置多个与所述中央源区间隔开的漏区（D1-D4；D1'-D10'），从而在所述质量装置（M）偏转的情况下能够产生相应的晶体管的差动的操控。

6.按照权利要求1到4中任一项所述的微电子构件，其中，所述质量装置（M）经由一集成在所述衬底（1）中的弹簧装置（F1、F2）与所述周边（P）连接。

7.按照权利要求5所述的微电子构件，其中，所述栅区（20；20'）具有一中央区域（20'a），从所述中央区域伸出多个指状物（20'b），其中，每个指状物（20'b）都形成一相应的晶体管的栅极。

8.按照权利要求7所述的微电子构件，其中指状物（20'b）平行延伸，并且彼此具有第一距离（P1），并且其中，相应的平行的晶体管沟道（K1'-K10'）具有一与所述第一距离（P1）不同的第二距离（P2）。

9.按照权利要求2所述的微电子构件，其中，所述栅区（20；20'）在第二多晶硅层（P2）中构成，并且电联接到所述印制电路系统（LBA）上。

10.按照权利要求1到4中任一项所述的微电子构件，其中，在所述漏区（D1-D4；D1'-D10'）和/或所述源区（10；10'）和/或沟道区（K1-K4）上设置另一绝缘层（2）。

11.用于制造微电子构件的方法，具有下列步骤：

提供一半导体衬底（1；la），其具有正面（O）和背面（R）；

在所述衬底（1）的正面（O）上形成一能弹性偏转的质量装置（M）；

形成至少一个设置在所述质量装置（M）中或上的源区（10；10'）；

形成至少一个设置在所述质量装置（M）中或上的漏区（D1-D4；D1'-D10'）；以及

形成一在所述源区（10；10'）和所述漏区（D1-D4；D1'-D10'）上面悬挂在一印制电路系统（LBA）上的栅区（20；20'），所述栅区通过一间隙（100）与所述质量装置（M）间隔开；

其中，所述印制电路系统（LBA）这样地在所述衬底（1）的正面（O）上锚固在所述质量装置（M）的周边（P）中，使得在所述质量装置（M）偏转时，所述栅区（20；20）保持固定。