[发明专利]像素结构

权利要求书

1.一种像素结构，包括：

扫描线以及一数据线；

主动元件，与该扫描线以及该数据线电性连接；

覆盖层，覆盖该扫描线、该数据线以及该主动元件；以及

反射像素电极，配置于该覆盖层上，并且与该主动元件电性连接，该反射像素电极包括第一区域与第二区域，该第一区域内具有多个第一凸起结构，以及该第二区域内具有一平坦表面，

其中该第一区域的面积占该反射像素电极的总面积的50%至70%，且该第二区域的面积占该反射像素电极的总面积的30%至50%。

2.如权利要求1所述的像素结构，其中该第二区域内具有第二凸起结构，该第二凸起结构的顶表面为该平坦表面。

3.如权利要求1所述的像素结构，其中该第一区域内的各该第一凸起结构的高度实质上大于或等于该平坦表面的高度。

4.如权利要求1所述的像素结构，其中该第二区域的形状包括圆形、椭圆形、矩形、三角形、菱形、梯形或十字形。

5.如权利要求1所述的像素结构，其中该第二区域位于该反射像素电极的中央区域或任一角落区域。

6.如权利要求1所述的像素结构，还包括一固定层，配置于该反射像素电极上，且环绕该反射像素电极的周围。

7.一种像素结构，包括：

扫描线以及数据线；

主动元件，与该扫描线以及该数据线电性连接；

覆盖层，覆盖该扫描线、该数据线以及该主动元件；以及

反射像素电极，配置于该覆盖层上，并且与该主动元件电性连接，该反射像素电极包括第一区域与第二区域，该第一区域内具有多个第一凸起结构，以及该第二区域内具有多个第二凸起结构，其中该第一区域内的各该第一凸起结构的高度大于该第二区域内的各该第二凸起结构的高度，

其中该第一区域的面积占该反射像素电极的总面积的50%至70%，且该第二区域的面积占该反射像素电极的总面积的30%至50%。

8.如权利要求7所述的像素结构，其中该第一区域内的各该第一凸起结构的高度与该第二区域内的各该第二凸起结构的高度的比例为1.7：1至5：1。

9.如权利要求7所述的像素结构，其中该第二区域的形状包括圆形、椭圆形、矩形、三角形、菱形、梯形或十字形。

10.如权利要求7所述的像素结构，其中该第二区域位于该反射像素电极的中央区域或任一角落区域。

11.如权利要求7所述的像素结构，还包括固定层，配置于该反射像素电极上，且环绕该反射像素电极的周围。