[发明专利]具有全方位反射镜的发光二极管及其相应的制造方法

权利要求书

1.一种具有全方位反射镜的发光二极管，其特征在于：由下至上依次包括衬底、n型GaN层、n型GaN层上形成的n电极和有源层、所述有源层上形成的p型GaN层、所述p型GaN层上形成的ODR结构，以及发光二极管还包括透明导电层，所述ODR结构从下至上包括DBR反射结构和p电极，所述透明导电层位于所述DBR反射结构和p电极之间且延伸至未形成所述DBR反射结构的p型GaN层上，其中，所述n电极和p电极由反射金属构成。

2.如权利要求1所述的具有全方位反射镜的发光二极管，其特征在于：所述DBR反射结构采用蒸发镀膜或溅射镀膜方式制作。

3.如权利要求1所述的具有全方位反射镜的发光二极管，其特征在于：所述DBR反射结构由两种不同折射率材料交替组合构成。

4.如权利要求3所述的具有全方位反射镜的发光二极管，其特征在于：两种所述不同折射率材料是SiO₂、Ti₃O₅、Al₂O₃或MgF₂中的任意两种。

5.如权利要求1所述的具有全方位反射镜的发光二极管，其特征在于：所述n电极和p电极还包括一保护金属，所述保护金属对位于其下的反射金属进行保护。

6.如权利要求5所述的具有全方位反射镜的发光二极管，其特征在于：所述反射金属是Ag、Al或Rh中的任意一种，与所选的反射金属搭配的保护金属所使用的材料为Cr、Ni、Pt、Au、W或Ti中的至少一种。

7.如权利要求1所述的具有全方位反射镜的发光二极管，其特征在于，还包括：覆盖在上述结构表面但除所述n电极和p电极的部分区域之外的一绝缘层，所述绝缘层使用的材料为SiO₂、SiON或Si₃N₄中的任意一种；

位于除所述n电极和p电极之外的部分或全部透明导电层的表面上。

8.一种具有全方位反射镜的发光二极管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

在一衬底上由下至上依次生长n型GaN层、有源层、p型GaN层；

从顶部的部分p型GaN层刻蚀至n型GaN层，形成n型GaN台面；

在所述p型GaN层上形成DBR反射结构；

在所述DBR反射结构和p型GaN层上沉积一透明导电层；

运用负光刻胶并采用剥离技术，在所述DBR反射结构上的透明导电层和n型GaN台面上，分别形成由反射金属构成的p电极和n电极，所述DBR反射结构与p电极形成ODR结构。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于：所述DBR反射结构采用蒸发镀膜或溅射镀膜方式制作。

10.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于：所述DBR反射结构由两种不同折射率材料交替组合构成。

11.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于：两种所述不同折射率材料是SiO₂、Ti₃O₅、Al₂O₃或MgF₂中的任意两种。

12.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于：运用负光刻胶并采用剥离技术，在所述DBR反射结构上的透明导电层和n型GaN台面上，分别形成p电极和n电极的步骤包括：

在所述透明导电层和n型GaN台面上形成一负光刻胶；

在所述负光刻胶中形成p窗口和n窗口，所述p窗口暴露出位于所述DBR反射结构上的透明导电层的表面，所述n窗口暴露出所述n型GaN台面的表面；

淀积反射金属后，采用剥离技术剥离多余的金属并去除所述负光刻胶，以在所述p窗口和n窗口中分别形成p电极和n电极。

13.如权利要求8至12中任意一项所述的制造方法，其特征在于：所述n电极和p电极还包括一保护金属，所述保护金属对位于其下的反射金属进行保护。

14.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于：所述反射金属是Ag、Al或Rh中的任意一种，与所选的反射金属搭配的保护金属所使用的材料为Cr、Ni、Pt、Au、W或Ti中的至少一种。

15.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于：还包括：在上述结构表面但除所述n电极和p电极的部分区域之外覆盖一绝缘层，所述绝缘层使用的材料为SiO₂、SiON或Si₃N₄中的任意一种。