[发明专利]一种像素电路及其驱动方法、阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素电路及其驱动方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

AMOLED（Active Matrix Organic Light Emitting Diode，有源发光二极管显示器）由于能满足显示器高分辨率与大尺寸的要求，应用越来越广泛。

AMOLED能够发光是由薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）在饱和状态时产生驱动电流并驱动发光元件OLED（Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管）发光，OLED发光亮度和提供给OLED器件的驱动电流的大小成正比，故为了实现最佳的显示效果，需要较大的驱动电流，而低温多晶硅由于可以提供较高的电子迁移率，故AMOLED显示技术中较多的选择低温多晶硅制作TFT。

如图1A所示为现有技术中阈值补偿AMOLED的像素电路，电路中包含两个TFT、一个电容、电源和OLED，两个TFT分别为用作开关的T1和用于像素驱动的DTFT（驱动晶体管），VDD为电源电压的高电平，VSS为电源电压的低电平，如图1B所示为图1A中像素电路的控制信号的时序图，扫描信号线上输出的电平为VScan，数据信号线上输出的电平为Vdata，当VScan电平为低电平时，T1导通，数据信号线上的灰阶电压对电容C充电，当VScan的电平为高电平时，T1关闭，电容C用来保存灰阶电压，由于VDD电压较高，因此DTFT处于饱和状态，OLED的驱动电流为：I＝K(V_sg-|V_th|)²＝K(VDD-V_data-|V_th|)²，其中，Vdata为数据电压，VDD为电源电压，K为一个与晶体管尺寸和载流子迁移率有关的常数，Vth为晶体管阈值电压。由上述OLED驱动电流的公式可知，OLED驱动电流的大小和Vth有关，而低温多晶硅工艺不成熟，即便是同样的工艺参数，制作出的TFT的Vth也有较大差异，使得阵列基板不同位置处TFT的Vth不同，导致同一灰阶电压下OLED的驱动电流不一样，因此采用如图1A所示的像素电路，会使得阵列基板不同位置处的亮度有差异，显示不均匀，进而降低了阵列基板的亮度均一性。

发明内容

本发明的目的是提供一种像素电路及其驱动方法、阵列基板和显示装置，以解决现有的像素电路导致阵列基板亮度均一性较差，显示不均匀的问题。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

本发明一方面提供了一种像素电路，包括：控制子电路、补偿子电路、驱动晶体管和发光器件；

控制子电路，用于在扫描电压信号和充电信号控制下，对所述补偿子电路进行充电；并用于在发光控制信号控制下，控制所述驱动晶体管驱动所述发光器件发光；

补偿子电路，用于在所述控制子电路的控制下，固定所述驱动晶体管栅极电位，并预先存储所述驱动晶体管的阈值电压，以在所述驱动晶体管驱动所述发光器件发光时补偿所述驱动晶体管的阈值电压。

本发明中，补偿子电路通过固定驱动晶体管的栅极电位，并预先存储驱动晶体管的阈值电压，能够较好的在驱动晶体管驱动发光器件发光时，补偿驱动晶体管的阈值电压，最终使得驱动发光器件发光的驱动电流与驱动晶体管的阈值电压没有关系，改善面板的显示均匀性。

较佳的，所述补偿子电路包括第一电容和第二电容，其中，

所述第一电容的第一端连接所述驱动晶体管的栅极以及所述控制子电路，所述第一电容的第二端连接所述驱动晶体管的源极；所述第二电容的第一端连接所述驱动晶体管的源极，所述第二电容的第二端连接所述控制子电路；

所述控制子电路控制所述第二电容充电，使所述驱动晶体管的源极电位上升至使所述驱动晶体管自动截止的电位，并使所述第一电容预先存储使所述驱动晶体管自动截止的阈值电压。

本发明中，通过在驱动晶体管的源极连接第一电容和第二电容，控制第二电容充电，使驱动晶体管的源极电位上升至使其自动截止的电位，并使第一电容预先存储阈值电压，能够较好的使驱动晶体管的阈值电压保存到驱动晶体管的源极，能够较好的补偿驱动晶体管的阈值电压。

较佳的，所述控制子电路包括充电模块、发光控制模块和电压源，其中，充电模块与所述电压源、所述驱动晶体管栅极以及所述第一电容的第一端连接，所述发光控制模块与所述电压源以及所述驱动晶体管连接。