[发明专利]离子注入方法以及离子注入装置有效
申请号: | 201310367539.6 | 申请日: | 2013-08-21 |
公开(公告)号: | CN103681265A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 二宫史郎;香川唯信;弓山敏男;舩井晃;黑田隆之 | 申请(专利权)人: | 斯伊恩股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01L21/66;H01J37/317;H01J37/244 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 夏斌;陈萍 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 注入 方法 以及 装置 | ||
1.一种离子注入方法,其将由离子源产生的离子传输至晶圆,并以离子束照射晶圆而注入离子,其特征在于,
包括状态判断工序,该状态判断工序在向晶圆注入离子的过程中,使用多个能够检测存在放电可能性的现象的检测部,并根据检测出的存在放电可能性的现象的有无以及该现象影响离子束的程度来判断所述离子束的状态。
2.根据权利要求1所述的离子注入方法,其特征在于,
所述方法还包括离子注入工序,该离子注入工序边使离子束扫描边对晶圆注入离子,
在所述状态判断工序中,作为所述多个检测部中的一个检测部,利用在每次进行离子束扫描时能够测定离子束的电流的束电流测定部检测存在放电可能性的现象。
3.根据权利要求2所述的离子注入方法,其特征在于,
所述离子注入工序使离子束在一个方向上进行往复扫描,且在与射束扫描方向正交的方向上使晶圆进行机械扫描。
4.根据权利要求2或3所述的离子注入方法,其特征在于,
在所述状态判断工序中,作为所述多个检测部中的一个检测部,利用对构成从离子源到晶圆的射束线的设备所具有的电源的电压进行测定的电源电压测定部检测存在放电可能性的现象。
5.根据权利要求2或3所述的离子注入方法,其特征在于,
在所述状态判断工序中,作为所述多个检测部中的一个检测部,利用对构成从离子源到晶圆的射束线的各设备分别具有的电源的电压进行测定的多个电源电压测定部来检测存在放电可能性的现象。
6.根据权利要求1~5中的任一项所述的离子注入方法,其特征在于,
在所述状态判断工序中,在所述多个检测部中的至少一个检测部检测出存在放电可能性的现象的情况下,判断为离子束状态异常。
7.根据权利要求4或5所述的离子注入方法,其特征在于,
在所述状态判断工序中,在所述束电流测定部检测出存在放电可能性的现象,且至少一个所述电源电压测定部检测出存在放电可能性的现象的情况下,判断为离子束状态异常。
8.根据权利要求5所述的离子注入方法,其特征在于,
在所述状态判断工序中,在所述束电流测定部检测出存在放电可能性的现象,且根据对离子束的影响而分为多组的所述多个电源电压测定部中属于其中一组的电源电压测定部,检测出存在放电可能性的现象的情况下,判断为离子束状态异常。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的离子注入方法,其特征在于,
在所述状态判断工序中,根据确定离子注入条件的各种设定,确定用于检测存在放电可能性的现象的所述多个检测部的组合。
10.一种离子注入装置,其特征在于,具备:
构成将由离子源产生的离子传输至晶圆的射束线的设备;
多个检测部,在以离子束照射晶圆而注入离子的过程中,能够检测存在放电可能性的现象;以及
判断部,根据通过所述多个检测部检测出的存在放电可能性的现象的有无以及该现象影响离子束的程度来判断所述离子束的状态。
11.根据权利要求10所述的离子注入装置,其特征在于,
所述设备具有使离子束扫描的射束扫描仪,
所述多个检测部中的一个检测部为,在每次进行离子束扫描时能够测定离子束的电流的束电流测定部,
所述多个检测部的一部分检测部为,对构成从离子源到晶圆的射束线的各设备分别具有的电源的电压进行测定的多个电源电压测定部。
12.根据权利要求10或11所述的离子注入装置,其特征在于,
在所述多个检测部中的至少一个检测部检测出存在放电可能性的现象的情况下,所述判断部判断为离子束状态异常。
13.根据权利要求11所述的离子注入装置,其特征在于,
在所述束电流测定部检测出存在放电可能性的现象,且根据对离子束的影响而分为多组的所述多个电源电压测定部中属于其中一组的电源电压测定部,检测出存在放电可能性的现象的情况下,所述判断部判断为离子束的状态异常。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于斯伊恩股份有限公司,未经斯伊恩股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310367539.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造