[发明专利]中空颗粒的分散体的制造方法、减反射膜的制造方法和光学元件的制造方法无效
申请号: | 201310342590.1 | 申请日: | 2013-08-08 |
公开(公告)号: | CN103570030A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 龟野优 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | C01B33/18 | 分类号: | C01B33/18;C03C17/23;C09D1/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 中空 颗粒 散体 制造 方法 减反射膜 光学 元件 | ||
1.中空颗粒的分散体的制造方法,该方法包括:
通过在水性介质中在主要由有机化合物制成的颗粒的表面上形成主要由无机系化合物制成的壳来制备核壳型颗粒,和
通过使核壳型颗粒疏水化并且用芳族有机溶剂对核壳型颗粒进行抽提而得到由壳形成的中空颗粒的分散体。
2.根据权利要求1的中空颗粒的分散体的制造方法,其中核壳型颗粒的平均壳厚度为2nm-10nm。
3.根据权利要求1或2的中空颗粒的分散体的制造方法,其中疏水化处理是采用硅烷偶联剂和硅烷化剂中的一者的处理。
4.根据权利要求1-3的任一项的中空颗粒的分散体的制造方法,其中核壳型颗粒具有20nm-210nm的数均颗粒直径。
5.根据权利要求1-4的任一项的中空颗粒的分散体的制造方法,其中核壳型颗粒中的壳主要由RySiOz表示的单元制成,其中R表示烃基,0≤y≤1,1≤z≤2。
6.根据权利要求1-5的任一项的中空颗粒的分散体的制造方法,其中无机系化合物是硅氧烷化合物。
7.根据权利要求1-6的任一项的中空颗粒的分散体的制造方法,其中中空颗粒的多分散指数为0.200以下。
8.减反射膜的制造方法,该方法包括:
采用根据权利要求1-7的任一项的方法得到中空颗粒的分散体;和
通过在基材上涂布中空颗粒的分散体来制备减反射膜。
9.光学元件的制造方法,该方法包括:
采用根据权利要求1-7的任一项的方法得到中空颗粒的分散体;和
通过在光学元件上涂布中空颗粒的分散体来制备包括减反射膜的光学元件。
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