[发明专利]显示设备的基板及其制造方法有效
申请号: | 201310341430.5 | 申请日: | 2013-08-07 |
公开(公告)号: | CN103855168A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 李承龙 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示设备的基板,并且更具体地涉及包括光敏有机绝缘层的基板以及制造该基板的方法。
背景技术
一般来说,可以基于液晶(LC)的光学各向异性和偏振来驱动液晶显示(LCD)设备。由于LC分子细且长,LC分子可以被布置在特定的方向上,并且通过人工地对LC施加电场可以控制LC分子的布置方向。
也就是说,当使用电场来改变LC分子的布置时,由于在布置LC分子的方向上LC的光学各向异性导致光可以折射,使得可以显示图像。
在近年,以矩阵形状布置TFT和像素电极的有源矩阵LCD(AM-LCD)设备吸引了很多的注意,因为该设备具有高分辨率并且能够高水平地表现运动图像。
LCD设备包括具有像素电极的阵列基板、具有公共电极的滤色器基板以及插入在阵列基板和滤色器基板之间的液晶层。阵列基板包括多个像素区,并且薄膜晶体管(TFT)形成在各个像素区中。像素电极通过绝缘层的接触孔连接到TFT。
通过光刻处理可以形成接触孔,光刻处理包括涂敷光刻胶(PR)的步骤、通过曝光和显影来形成PR图案的步骤以及利用PR图案作为蚀刻掩膜来蚀刻绝缘层的步骤。
已经研究了这样的处理,即,其中通过使用诸如光亚克力这样的光敏有机材料在TFT和像素电极之间形成绝缘层,从而省略了涂敷PR的步骤和蚀刻绝缘层的步骤。
包括PR和光亚克力的光敏有机材料可以根据曝光后在显影剂中的溶解特性而分类为正类型和负类型。正类型光敏有机材料的曝光部分的溶解度增大,使得曝光部分在显影后可以被除去,而负类型光敏有机材料的曝光部分的溶解度减小,使得未曝光部分在显影后可以被除去。
光敏有机材料曝光于从汞(Hg)灯发射的紫外(UV)线。例如,光敏有机材料可以被具有大约365nm的波长的i线形UV线固化。当光掩膜的图案具有较大尺寸(临界尺寸)时,衍射的影响较小,使得衍射光的影响可以被最小化。但是,当光掩膜的图案具有较小尺寸时,光敏有机材料的图案的形状会被衍射光扭曲变形。
具体地说,在绝缘层中的接触孔的尺寸被减小以提高显示设备的开口率和亮度。由于衍射光所导致的细接触孔的劣化成为严重的问题。
发明内容
因此,本发明致力于一种显示设备,其基本上消除了由于相关技术的限制和缺点所导致的一个或更多个问题。
本发明的目的是提供一种基板和制造该基板的方法,其中,通过在包括UV吸收剂的光敏有机材料的绝缘层中形成细接触孔来提高开口率和亮度。
本发明的其它的特征和优点将在随后的说明中进行阐述,而一部分根据描述会变得清楚,或者可以通过实施本发明而获知。可以由在所撰写的说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构实现并获得本发明的上述目的和其它优点。
为了实现这些目的和其它优点,并且根据本文中所具体体现和广泛描述的发明目的,本发明提供一种显示设备的基板,其包括:基础基板;薄膜晶体管,所述薄膜晶体管在所述基础基板上;光敏有机材料的钝化层,所述光敏有机材料的钝化层在所述薄膜晶体管上,所述钝化层具有露出所述薄膜晶体管的接触孔,所述光敏有机材料包括紫外线吸收剂;以及像素电极,所述像素电极在所述钝化层上,并且所述像素电极通过所述接触孔连接至所述薄膜晶体管。
在另一方面,提供一种制造显示设备的基板的方法,该方法包括:在基板上形成薄膜晶体管;使用包括紫外线吸收剂的光敏有机材料在薄膜晶体管上形成钝化层,所述钝化层具有露出薄膜晶体管的接触孔;并且在钝化层上形成像素电极,所述像素电极通过接触孔连接到薄膜晶体管。
应当理解,上文对本发明的概述与下文对本发明的详述是解释性的,并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
包括附图以提供对本发明的进一步的理解,附图被并入且构成本申请的一部分,附图例示了本发明的实施方式,并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中:
图1是示出了根据本发明的实施方式的光掩膜和绝缘层的接触孔的示例的视图,在该接触孔中显示有残余部分;
图2是示出了根据本发明的实施方式的用于对在接触孔中造成残余部分的UV线进行标识的从汞灯发射的光的光谱的示例的视图;
图3是示出了根据本发明的实施方式的显示设备的基板的示例的视图;
图4是示出了根据本发明的实施方式的制造显示设备的基板的方法的示例的视图;
图5是示出了根据本发明的实施方式的在显示设备的基板上的钝化层的曝光特性的示例的视图;并且
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的