[发明专利]显示设备的基板及其制造方法有效
申请号: | 201310341430.5 | 申请日: | 2013-08-07 |
公开(公告)号: | CN103855168A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 李承龙 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示设备,该显示设备包括:
基板;
薄膜晶体管,所述薄膜晶体管在所述基板上;以及
光敏有机材料的钝化层,所述光敏有机材料的钝化层在所述薄膜晶体管上,所述钝化层具有露出所述薄膜晶体管的接触孔,
其中,所述光敏有机材料包括紫外线吸收剂,并且所述紫外线吸收剂被配置为吸收经过在所述接触孔之上的掩膜中的阻挡区域的经反射的紫外UV线。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,从所述阻挡区域的边缘反射的UV线包括分别具有大约436nm和405nm的波长的g线形UV线和h线形UV线。
3.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述紫外线吸收剂吸收经反射的g线形UV线和h线形UV线。
4.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述光敏有机材料还包括:
光引发剂,当照射UV线时所述光引发剂产生自由基;
交联剂,所述交联剂链接所述自由基;以及
结合剂,所述结合剂结合所述自由基。
5.根据权利要求4所述的显示设备,其中,所述光敏有机材料还包括用于将所述自由基去除的自由基清除剂。
6.根据权利要求5所述的显示设备,其中,所述交联剂包括多功能单体,并且其中,由所述多功能单体的酸值来调整所述光敏有机材料的临界曝光能量密度。
7.根据权利要求1所述的显示设备,其中,在钝化区域之上的所述阻挡区域具有与所述接触孔的宽度相同的宽度。
8.一种显示设备,该显示设备包括:
基板;
薄膜晶体管,所述薄膜晶体管在所述基板上;以及
光敏有机材料的钝化层,所述光敏有机材料的钝化层在所述薄膜晶体管上,所述钝化层具有露出所述薄膜晶体管的接触孔,
其中,所述光敏有机材料包括紫外线吸收剂,并且所述紫外线吸收剂被配置为吸收具有比i线形UV线的波长更长的波长的经反射的紫外UV线。
9.根据权利要求8所述的显示设备,其中,从阻挡区域的边缘反射的UV线包括分别具有大约436nm和405nm的波长的g线形UV线和h线形UV线。
10.根据权利要求8所述的显示设备,其中,所述紫外线吸收剂吸收经反射的g线形UV线和h线形UV线。
11.一种用于制造显示设备的方法,该方法包括:
形成所述显示设备的基板;
在所述基板上形成薄膜晶体管;
在所述薄膜晶体管上形成光敏有机材料的钝化层,所述钝化层具有露出所述薄膜晶体管的接触孔,其中,所述光敏有机材料包括紫外线吸收剂;
在所述接触孔之上的掩膜中形成阻挡区域;并且
经由所述紫外线吸收剂吸收经过在所述接触孔之上的所述掩膜中的所述阻挡区域的经反射的紫外UV线。
12.根据权利要求11所述的方法,该方法还包括:
经由所述紫外线吸收剂吸收从所述阻挡区域的边缘反射的g线形UV线和h线形UV线,所述反射的g线形UV线和h线形UV线分别具有大约436nm和405nm的波长。
13.根据权利要求11所述的方法,该方法还包括:
经由所述紫外线吸收剂吸收经反射的g线形UV线和h线形UV线。
14.根据权利要求11所述的方法,其中,所述光敏有机材料还包括:
光引发剂,当照射UV线时所述光引发剂产生自由基;
交联剂,所述交联剂链接所述自由基;以及
结合剂,所述结合剂结合所述自由基。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,所述光敏有机材料还包括用于将所述自由基去除的自由基清除剂。
16.根据权利要求15所述的方法,其中,所述交联剂包括多功能单体,并且
其中,由所述多功能单体的酸值来调整所述光敏有机材料的临界曝光能量密度。
17.根据权利要求11所述的方法,其中,在钝化区域之上的所述阻挡区域具有与所述接触孔的宽度相同的宽度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的