[发明专利]一种芳基乙烯基丙二酰亚胺的制备及伯胺的检测方法无效
申请号: | 201310323601.1 | 申请日: | 2013-07-30 |
公开(公告)号: | CN103450064A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 贺庆国;施立琦;付艳艳;朱德峰;曹慧敏;程建功 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | C07D205/02 | 分类号: | C07D205/02;C09K11/06;G01N21/64;C08G61/12 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人: | 黄志达 |
地址: | 200050 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 乙烯基 丙二酰 亚胺 制备 检测 方法 | ||
1.一种芳基乙烯基丙二酰亚胺的制备方法,包括:
将芳基乙烯基丙二酸酯或芳基乙烯基丙二腈的溶液涂到基底表面,挥发除去溶剂,得到薄膜器件;在室温下将上述薄膜器件置于伯胺蒸气中5分钟-10小时,然后直接收集薄膜上的固体物质即为芳基乙烯基丙二酰亚胺;
其反应方程式如下:
其中Ar选自A1-A20所示的基团:
R和R’各自独立的选自A21-A37所示的基团:
2.根据权利要求1所述的一种芳基乙烯基丙二酰亚胺的制备方法,其特征在于:所述的基底为平面的石英片、平面的云母片、平面的硅片、纳米颗粒、纳米柱、纳米线、纳米纤维中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的一种芳基乙烯基丙二酰亚胺的制备方法,其特征在于:所述的基底为纳米硅球、氧化锌颗粒、硅纳米线、电纺丝纳米纤维中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的一种芳基乙烯基丙二酰亚胺的制备方法,其特征在于:所述的薄膜器件中薄膜的厚度为1nm-5mm。
5.一种伯胺的检测方法,其特征在于:将芳基乙烯基丙二酸酯或芳基乙烯基丙二腈的溶液涂到基底表面,挥发除去溶剂即得薄膜器件;在室温下将上述薄膜器件置于伯胺蒸气中5分钟-10小时,同时检测光谱信号的变化,即实现对伯胺的检测;
其反应方程式如下:
其中Ar选自A1-A20所示的基团:
R和R’各自独立的选自A21-A37所示的基团:
6.根据权利要求5所述的一种伯胺检测方法,其特征在于:所述的基底为平面的石英片、平面的云母片、平面的硅片、纳米颗粒、纳米柱、纳米线、纳米纤维中的一种或几种。
7.根据权利要求5所述的一种伯胺检测方法,其特征在于:所述的基底为纳米硅球、氧化锌颗粒、硅纳米线、电纺丝纳米纤维中的一种或几种。
8.根据权利要求5所述的一种伯胺检测方法,其特征在于:所述的薄膜器件中薄膜的厚度为1nm-5mm。
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