[发明专利]用于LED模块的基板及其制造方法无效
申请号: | 201310303977.6 | 申请日: | 2013-07-18 |
公开(公告)号: | CN103579476A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 许哲豪 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/48 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;李静 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 led 模块 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于LED模块的基板,所述基板包括:
基部基板;
绝缘层,形成在所述基部基板中的除了芯片安装区域A之外的其余区域上;
电极层,形成在所述绝缘层上;
氧化物层,形成在所述基部基板的所述芯片安装区域A上;以及
高反射性层,形成在所述氧化物层的顶表面上。
2.根据权利要求1所述的用于LED模块的基板,其中,每个所述氧化物层均由通过将所述基部基板氧化而形成的氧化物制成。
3.根据权利要求2所述的用于LED模块的基板,其中,所述氧化物层包括铝的氧化物Al2O3、镁的氧化物MgO、锰的氧化物MnO、锌的氧化物ZnO、钛TiO2、铪的氧化物HfO2、钽的氧化物Ta2O5以及铌Nb2O3之中的任何一种或者两种。
4.根据权利要求1所述的用于LED模块的基板,其中,所述基部基板的所述芯片安装区域A为圆形的形状或者矩形的形状。
5.根据权利要求1所述的用于LED模块的基板,其中,所述高反射性层为通过沉积工艺形成的金属薄膜。
6.根据权利要求5所述的用于LED模块的基板,其中,所述高反射性层包括铝Al、钛Ti、银Ag、镍Ni和铬Cr或者其合金之中的任何一种。
7.根据权利要求1所述的用于LED模块的基板,其中,所述基部基板由铝Al、镁Mg、锰Mn、锌Zn、铪Hf、钽Ta和铌Nb或者其合金之中的任何一种制成。
8.根据权利要求1所述的用于LED模块的基板,进一步包括:
LED芯片,安装在所述反射性层的顶表面上并且通过引线接合连接至所述电极层。
9.根据权利要求1所述的用于LED模块的基板,进一步包括:
镀覆层,形成在所述电极层的表面上以便引线接合至所述LED芯片。
10.一种用于LED模块的基板,包括:
基部基板;
氧化物层,位于所述基部基板中的一芯片安装区域A和一区域B上,所述区域B从所述芯片安装区域A连接;
高反射性层,形成在所述氧化物层上
绝缘层,形成在所述基部基板中的除了所述芯片安装区域A之外的其余区域上,其中,所述绝缘层覆盖从所述芯片安装区域A延伸的所述区域B中的所述氧化物层和所述高反射性层;以及
电极层,形成在所述绝缘层上。
11.根据权利要求10所述的用于LED模块的基板,其中,从所述芯片安装区域A延伸的所述区域B的宽度与所述芯片安装区域A的宽度的比在0.01到0.2的范围内。
12.一种制造用于LED模块的基板的方法,所述方法包括:
(a)制备基部基板;
(b)将掩模附接在所述基部基板的一表面上,在所述掩模上根据预定图案形成有开口单元;
(c)将所述基部基板的通过所述开口单元而暴露的所述表面氧化;
(d)在通过氧化工艺形成的氧化物层上形成高反射性层;
(e)在去除所述掩模之后,在所述基部基板中的除了所述芯片安装区域A之外的其余区域上形成绝缘层;以及
(f)在所述绝缘层上形成电极层。
13.根据权利要求12所述的制造用于LED模块的基板的方法,其中,在附接了所述掩模的条件下,通过对所述基部基板的所述表面进行金属沉积工艺来执行所述步骤(d)。
14.根据权利要求13所述的制造用于LED模块的基板的方法,其中,所述金属沉积工艺使用溅射、镀覆、热沉积、电子束沉积、物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)之中的任何一种。
15.根据权利要求12所述的制造用于LED模块的基板的方法,其中,所述开口单元具有圆形的形状或者矩形的形状。
16.根据权利要求12所述的制造用于LED模块的基板的方法,其中,所述开口单元的宽度大于所述基部基板中的所述芯片安装区域A的宽度。
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