[发明专利]用于对引线键合机上的引线直径变化进行补偿的方法和系统有效
申请号: | 201310271753.1 | 申请日: | 2013-07-01 |
公开(公告)号: | CN103531494A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | J·W·布伦纳;W·秦;S·卡皮斯特拉诺 | 申请(专利权)人: | 库利克和索夫工业公司 |
主分类号: | H01L21/607 | 分类号: | H01L21/607 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;夏青 |
地址: | 美国宾*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 引线 键合机上 直径 变化 进行 补偿 方法 系统 | ||
1.一种调整引线键合机上的无空气球形成参数的方法,所述方法包括以下步骤:
(a)提供参考无空气球接触高度;
(b)测量引线键合机上的至少一个无空气球的受检无空气球接触高度;以及
(c)如果所述受检无空气球接触高度与所述参考无空气球接触高度之间的差大于预定容限水平,则至少部分基于所述差来调整所述引线键合机上的无空气球形成参数。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述无空气球形成参数是电子点火设备参数。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述无空气球形成参数是电子点火设备的功率输出参数。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述无空气球形成参数是从电子点火设备施加功率的时间长度。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述无空气球形成参数是电子点火设备的电流输出参数。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,当在所述引线键合机上改变引线卷轴时执行步骤(b)的测量和步骤(c)的调整。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,步骤(c)的调整的量与所述受检无空气球接触高度与所述参考无空气球接触高度之间的所述差的量相关。
8.根据权利要求1所述的方法,进一步包括以下步骤:
(d)在步骤(c)之后使用经调整的无空气球形成参数来形成后续的受检无空气球。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,重复步骤(b)到(d),直至后续的受检无空气球接触高度与所述参考无空气球接触高度之间的差等于或小于所述预定容限水平。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,使用所述引线键合机的z轴编码器来确定所述受检无空气球接触高度。
11.根据权利要求1所述的方法,进一步包括以下步骤:在步骤(b)之前或与步骤(b)同时地确立所述引线键合机上的所述至少一个无空气球的接触。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,通过检测相应至少一个无空气球中的每一个无空气球与相应的接触位置之间的电连续性来确立所述接触。
13.根据权利要求11所述的方法,其中,使用所述引线键合机的键合头的力传感器来确立所述接触。
14.根据权利要求1所述的方法,其中,所述受检无空气球接触高度与所述至少一个无空气球的露出部分的高度相关,所述露出部分在所述至少一个无空气球与接触位置之间的接触部位延伸到引线键合工具的尖端之下。
15.根据权利要求1所述的方法,其中,在步骤(b),在所述引线键合机的键合位置测量所述受检无空气球接触高度。
16.根据权利要求1所述的方法,其中,在步骤(b),在所述引线键合机的远离所述引线键合机的键合位置的位置测量所述受检无空气球接触高度。
17.一种调整引线键合机上的无空气球形成参数的方法,所述方法包括以下步骤:
a)提供参考无空气球键合挤压;
b)测量引线键合机上的至少一个无空气球的受检无空气球键合挤压;以及
c)如果所述受检无空气球键合挤压与所述参考无空气球键合挤压之间的差大于预定容限水平,则至少部分基于所述差来调整所述引线键合机上的无空气球形成参数。
18.根据权利要求17所述的方法,其中,所述无空气球形成参数是电子点火设备参数。
19.根据权利要求17所述的方法,其中,所述无空气球形成参数是电子点火设备的功率输出参数。
20.根据权利要求17所述的方法,其中,所述无空气球形成参数是从电子点火设备施加功率的时间长度。
21.根据权利要求17所述的方法,其中,所述无空气球形成参数是电子点火设备的电流输出参数。
22.根据权利要求17所述的方法,其中,当在所述引线键合机上改变引线卷轴时执行步骤b)的测量和步骤c)的调整。
23.根据权利要求17所述的方法,其中,步骤c)的调整的量与所述受检无空气球键合挤压与所述参考无空气球键合挤压之间的所述差的量相关。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造