[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201310269322.1 | 申请日: | 2013-06-28 |
公开(公告)号: | CN103346159A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | 阎长江;林雨;蒋晓伟;龙君;谢振宇 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的飞速发展,TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)作为一种平板显示装置,因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点,而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。
TFT-LCD显示面板的制造工艺包括:制造阵列(Array)基板和彩膜(Color Filter)基板,然后再将阵列基板和彩膜基板进行对位、成盒(Cell)。如图1所示,典型的TFT阵列基板包括透明基板11以及依次位于透明基板表面上TFT的栅极120、栅极绝缘层13、有源层14、位于有源层14两侧的TFT的漏极121和TFT的源级122、位于有源层14、TFT漏极121和TFT源级122表面上的第一钝化层15、位于第一钝化层表面的面状的第一透明电极16以及依次形成于第一透明电极16表面上的第二钝化层17和狭缝结构的第二透明电极18。
为了将第一透明电极16与薄膜晶体管的漏极121导通,通常会在第一钝化层15的表面设置有过孔,并且考虑到像素开口率的因素,可将该过孔设置为如图1所示的半搭接过孔30。该半搭接过孔30表面的第一透明电极16的一部分搭接在TFT的漏极121的表面上,另一部分搭接在过孔30底部栅极绝缘层13的表面,采用这样一种过孔可以增大像素开口率。然而,因为第一透明电极16透光,所以在半搭接过孔21处,当背光源发出的光线照射到TFT的漏极121未覆盖的部分时,将产生漏光现象。此外,还由于制造误差的原因会导致该过孔的口径偏大于设计值,或者在阵列基板和彩膜基板进行对位成盒时,由于对位精度的限制,很容易出现偏移,造成过孔未完全覆盖,从而发生漏光的现象,这种漏光现象严重制约了液晶面板的质量,并降低了液晶显示器件的显示效果。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置,用以避免显示面板的漏光现象,从而提高显示面板的质量,提升显示效果。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明实施例的一方面,提供一种阵列基板,包括:透明基板以及位于所述透明基板上的薄膜晶体管TFT,第一钝化层覆盖所述TFT,第一透明电极位于所述第一钝化层的表面,所述第一透明电极通过过孔与所述TFT的漏极相连接,所述过孔处具有用于防止光线透射的光阻结构。
本发明实施例的另一方面,提供一种显示装置,包括如上所诉的阵列基板。
本发明实施例的又一方面,提供一种阵列基板的制造方法,包括:
在形成有薄膜晶体管TFT的基板表面形成第一钝化层的图案;
在形成有上述图案的基板表面通过构图工艺形成过孔的图案,第一透明电极通过所述过孔与所述TFT的漏极相连接;
在所述过孔位置处形成用于防止光线透射的光阻结构。
本发明实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置,该阵列基板包括:透明基板以及位于透明基板上的薄膜晶体管TFT,第一钝化层覆盖TFT,第一透明电极位于第一钝化层的表面,该第一透明电极通过过孔与TFT的漏极相连接,该过孔处具有用于防止光线透射的光阻结构。这样一来,通过该光阻结构可以避免显示面板的漏光现象,从而提高显示面板的质量,提升显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中的阵列基板结构示意图;
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板结构示意图;
图3为本发明实施例提供的另一种阵列基板结构示意图;
图4为本发明实施例提供的另一种阵列基板结构示意图;
图5为本发明实施例提供的又一种阵列基板结构示意图。
图6为本发明实施例提供的又一种阵列基板结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的