[发明专利]一种含有掺杂工艺的铜锌锡硫薄膜制备方法无效

专利信息
申请号: 201310040589.3 申请日: 2013-02-03
公开(公告)号: CN103107243A 公开(公告)日: 2013-05-15
发明(设计)人: 向勇;张海涛;谢梦;吴露;闫宗楷 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610017 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 含有 掺杂 工艺 铜锌锡硫 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种含有掺杂工艺的铜锌锡硫薄膜制备方法,其特征是,其步骤包括:a、提供一衬底;b、将铜、锌、锡三种金属沉积在衬底上,形成金属前躯体;c、在金属前躯体上沉积含有锑元素的膜层作为掺杂层;d、将金属前躯体及掺杂层在含硫的气氛下热处理,此过程中硫元素与铜锌锡形成铜锌锡硫薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种含有掺杂工艺的铜锌锡硫薄膜制备方法,其特征是,在步骤a中,所述衬底为玻璃、硅片、不锈钢、聚酰亚胺中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种含有掺杂工艺的铜锌锡硫薄膜制备方法,其特征是,在步骤b中,所述的铜、锌、锡三种金属沉积方式为叠层沉积或者三种金属的合金沉积。

4.根据权利要求1所述的一种含有掺杂工艺的铜锌锡硫薄膜制备方法,其特征是,在步骤b中,所述铜、锌、锡三种合金的元素化学计量比通过膜层厚度调节达到的比例为2:1:1。

5.根据权利要求1所述的一种含有掺杂工艺的铜锌锡硫薄膜制备方法,其特征是,在步骤c中,所述的含有锑元素的膜层作为掺杂层,锑元素的存在形式为单质或者化合物。

6.根据权利要求1所述的一种含有掺杂工艺的铜锌锡硫薄膜制备方法,其特征是,在步骤c中,所述的掺杂层在步骤b制得的金属前驱体之上或者在金属前驱体和衬底之间。

7.根据权利要求1所述的一种含有掺杂工艺的铜锌锡硫薄膜制备方法,其特征是,在步骤d中,所述含硫的气氛为硫单质或者硫化物。

8.根据权利要求1所述的一种含有掺杂工艺的铜锌锡硫薄膜制备方法,其特征是,在步骤d中,所述热处理的温度为100℃~600℃。

9.根据权利要求1所述的一种含有掺杂工艺的铜锌锡硫薄膜制备方法,其特征是,在步骤d中,热处理过程需用的保护气体为氮气或氩气。

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