[发明专利]一种含有掺杂工艺的铜锌锡硫薄膜制备方法无效
申请号: | 201310040589.3 | 申请日: | 2013-02-03 |
公开(公告)号: | CN103107243A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 向勇;张海涛;谢梦;吴露;闫宗楷 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610017 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 含有 掺杂 工艺 铜锌锡硫 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种含有掺杂工艺的铜锌锡硫薄膜制备方法,其特征是,其步骤包括:a、提供一衬底;b、将铜、锌、锡三种金属沉积在衬底上,形成金属前躯体;c、在金属前躯体上沉积含有锑元素的膜层作为掺杂层;d、将金属前躯体及掺杂层在含硫的气氛下热处理,此过程中硫元素与铜锌锡形成铜锌锡硫薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种含有掺杂工艺的铜锌锡硫薄膜制备方法,其特征是,在步骤a中,所述衬底为玻璃、硅片、不锈钢、聚酰亚胺中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种含有掺杂工艺的铜锌锡硫薄膜制备方法,其特征是,在步骤b中,所述的铜、锌、锡三种金属沉积方式为叠层沉积或者三种金属的合金沉积。
4.根据权利要求1所述的一种含有掺杂工艺的铜锌锡硫薄膜制备方法,其特征是,在步骤b中,所述铜、锌、锡三种合金的元素化学计量比通过膜层厚度调节达到的比例为2:1:1。
5.根据权利要求1所述的一种含有掺杂工艺的铜锌锡硫薄膜制备方法,其特征是,在步骤c中,所述的含有锑元素的膜层作为掺杂层,锑元素的存在形式为单质或者化合物。
6.根据权利要求1所述的一种含有掺杂工艺的铜锌锡硫薄膜制备方法,其特征是,在步骤c中,所述的掺杂层在步骤b制得的金属前驱体之上或者在金属前驱体和衬底之间。
7.根据权利要求1所述的一种含有掺杂工艺的铜锌锡硫薄膜制备方法,其特征是,在步骤d中,所述含硫的气氛为硫单质或者硫化物。
8.根据权利要求1所述的一种含有掺杂工艺的铜锌锡硫薄膜制备方法,其特征是,在步骤d中,所述热处理的温度为100℃~600℃。
9.根据权利要求1所述的一种含有掺杂工艺的铜锌锡硫薄膜制备方法,其特征是,在步骤d中,热处理过程需用的保护气体为氮气或氩气。
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