[发明专利]包含纳米结构的发光装置有效
申请号: | 201280055344.1 | 申请日: | 2012-11-09 |
公开(公告)号: | CN103975456B | 公开(公告)日: | 2016-10-19 |
发明(设计)人: | 赖倩茜;郑世俊;大卫·T·西斯克;望月周 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 肖善强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 包含 纳米 结构 发光 装置 | ||
背景技术
有机发光装置(OLED)在照明和显示应用中正变得越来越重要。然而,为了鼓励广泛使用,对OLED技术仍然可以做出显著的改进。例如,全内反射目前将从装置所提取的光的量限制到由OLED所发射的光的大约20-35%。尽管外部散射膜或微镜阵列(MLA)可以帮助提取一些发射光,但仍然需要其他方法来进一步提高装置的效率。
发明概述
将纳米结构材料掺入OLED装置的有机层中可以帮助改善从装置的有机模式(organic modes)的光提取
一些实施方式包括发光装置,该发光装置包含:布置于阳极和阴极之间的发光层;包含第一电荷传输材料并且布置于发光层和阳极或阴极之间的第一电荷传输层;布置于第一电荷传输层和发光层之间、或者与第一电荷传输层和发光层接触的纳米结构材料。在一些实施方式中,从装置发射的基本上所有光都可穿过第一电荷传输层。
本文中更详细地描述了这些实施方式和其他实施方式。
附图说明
图1A是有机发光装置的一个实施方式的示意图。
图1B是纳米结构可以怎样基本上渗入纳米结构接触的层的一个例子的示意图。
图1C是纳米结构可以怎样基本上使纳米结构接触的层变形的一个例子的示意图。
图2A是有机发光装置的一个实施方式的示意图。
图2B是有机发光装置的一个实施方式的示意图。
图3A是有机发光装置的一个实施方式的示意图。
图3B是有机发光装置的一个实施方式的示意图。
图4A是帮助说明可以如何量化纳米结构的x、y和z维度的图。
图4B描绘了颗粒的理想化的例子,该颗粒可以被描述为在xz面观察时的基本上矩形的、准平面的和/或被描述为曲形或波形纳米片。
图4C描绘了曲形或波形纳米片的一个例子。
图5描绘了大致胶囊形颗粒的理想例子。
图6A-6I描绘了各表面的扫描电子显微图像,这些表面包含以不同的沉积速率沉积的纳米结构的一些实施方式。
图7A-7B是各有机发光装置的实施方式的示意图。
图8是装置A(方形数据点)和对照装置1(三角形数据点)的发光效率和功率效率与亮度的图表。
图9是对照装置1(方形数据点)、对照装置2(三角形数据点)和装置A的发光效率和功率效率的图表。
图10是对照装置1(方形数据点)、装置A(空心圆形数据点)和具有可选的光提取材料的装置A(菱形数据点)的发光效率和功率效率的图表。
图11是描绘了本文中所述装置的一些例子的发光效率和功率效率随沉积速率增加而增加的图。
图12A-C是描绘了装置B(具有各种掺杂物的Host-2)的发光效率、功率效率和外部量子效率的变化的图表。
发明详述
图1是本文中所描述的装置的一些实施方式的示意图。发光层20被布置于第一电极2和第二电极4之间。纳米结构材料6被布置在发光层20上,并且第一电荷传输层8被布置在纳米结构材料6和第一电极2之间。可选的第二电荷传输层9可以被布置于第二电极4和发光层20之间。装置中也可以存在其他层,例如电荷注入层(诸如电子注入层或空穴注入层)、电荷阻挡层(诸如电子阻挡层或空穴阻挡层)、空穴阻挡层等。
电极和电荷传输层的特征可取决于具体的装置结构。例如,如果第一电极2是阳极,那么第一电荷传输层8是空穴传输层,第二电极4是阴极,并且如果存在的话,第二电荷传输层9是电子传输层。相反,如果第一电极2是阴极,那么第一电荷传输层8是电子传输层,第二电极4是阳极,并且如果存在的话第二电荷传输层9是空穴传输层。因此,如果存在的话,空穴传输层可被布置于发光层和阳极之间,并且如果存在的话,电子传输层可被布置于发光层和阴极之间。
此外,光的方向可以取决于具体装置结构,例如顶部发射或底部发射。在一些实施方式中,纳米结构材料可以在从装置发射的光的路径中。在一些实施方式中,纳米结构材料可以不在从装置发射的光的路径中。在一些实施方式中,光可以从发光层20经由纳米结构材料6、第一电荷传输层8和第一电极2的方向发射。在一些实施方式中,由装置所发射的光的路径可以在远离纳米材料6的方向上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社,未经日东电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280055344.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择