[发明专利]包含纳米结构的发光装置有效
申请号: | 201280055344.1 | 申请日: | 2012-11-09 |
公开(公告)号: | CN103975456B | 公开(公告)日: | 2016-10-19 |
发明(设计)人: | 赖倩茜;郑世俊;大卫·T·西斯克;望月周 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 肖善强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包含 纳米 结构 发光 装置 | ||
1.发光装置,其包含:
布置于阳极和阴极之间的发光层;
包含第一电荷传输材料并且布置于所述发光层和所述阳极或所述阴极之间的第一电荷传输层;和
布置于所述第一电荷传输层和所述发光层之间、或者与所述第一电荷传输层和所述发光层接触的纳米结构材料。
2.如权利要求1所述的发光装置,其中由所述装置发射的光穿过所述第一电荷传输层。
3.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第一电荷传输层是布置于所述发光层和所述阴极之间的电子传输层。
4.如权利要求2所述的发光装置,其还包含布置于所述发光层和所述阳极之间的空穴传输层。
5.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第一电荷传输层是布置于所述发光层和所述阳极之间的空穴传输层。
6.如权利要求5所述的发光装置,其还包含布置于所述发光层和所述阴极之间的电子传输层。
7.如前面权利要求中任意一项所述的发光装置,其中所述纳米结构材料是基本上渗入纳米结构接触的层或者使纳米结构接触的层变形的纳米结构的形式。
8.如前面权利要求中任意一项所述的发光装置,其中所述纳米结构材料的至少一部分包含多个布置于最靠近所述第一电荷传输层的发光层的表面上的纳米结构。
9.如前面权利要求中任意一项所述的发光装置,其中所述纳米结构材料的至少一部分在过渡层中,所述过渡层包含所述第一电荷传输材料和所述纳米结构材料的混合物并且布置于所述发光层和所述第一电荷传输层之间。
10.如前面权利要求中任意一项所述的发光装置,其中所述纳米结构材料包含有机化合物。
11.如权利要求10所述的发光装置,其中所述有机化合物具有稳定的平面构象。
12.如权利要求10所述的发光装置,其中所述有机化合物包含可选地被取代的芳族或杂芳族的环或环状体系。
13.如权利要求10所述的发光装置,其中所述有机化合物是:
14.如权利要求1所述的发光装置,其还包含光提取材料。
15.如前面权利要求中任意一项所述的发光装置,其中所述纳米结构材料具有在每cm2所述发光层表面的面积上约1ng至约500ng的总质量。
16.如权利要求15所述的发光装置,其中所述纳米结构材料具有在每cm2所述发光层表面的面积上约10ng至约100ng的总质量。
17.如权利要求9-14所述的发光装置,其中所述过渡层具有约1∶1至约1∶10的纳米结构材料与电荷传输材料的重量比。
18.如前面权利要求中任意一项所述的发光装置,其中与除缺乏所述纳米结构材料外相同的装置相比,所述纳米结构材料使所述装置的发光效率增加至少约5%。
19.如前面权利要求中任意一项所述的发光装置,其还包含光提取材料,所述光提取材料布置于以下物质之上:所述阳极、所述阴极、布置于所述阳极和所述光提取层之间的透明层、或布置于所述阴极和所述光提取层之间的透明层。
20.如权利要求19所述的发光装置,其中与除缺乏所述光提取材料外相同的装置相比,所述光提取材料使所述装置的功率效率增加至少约10%。
21.如权利要求19所述的发光装置,其中所述纳米结构材料与所述光提取材料的组合协同地增加所述装置的发光效率。
22.如权利要求21所述的发光装置,其中所述纳米结构材料与所述光提取材料的组合使所述装置的发光效率协同地增加至少约15%。
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