[发明专利]阻气层叠体、其制造方法、电子装置用部件及电子装置有效
| 申请号： | 201280015793.3 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103534084A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 永绳智史 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蔡晓菡;孟慧岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 层叠 制造 方法 电子 装置 部件 | ||
1.阻气层叠体，其为在基材上具有阻气层的阻气层叠体，其特征在于，所述阻气层为向有机硅化合物薄膜注入离子而得到的，所述有机硅化合物薄膜通过使用有机硅化合物作为成膜原料的CVD法形成。
2.阻气层叠体，其为在基材上具有阻气层的阻气层叠体，其特征在于，所述阻气层为向有机硅化合物薄膜注入离子而得到的，所述有机硅化合物薄膜通过使用有机硅化合物作为成膜原料的等离子体CVD法形成。
3.阻气层叠体，其为在基材上具有阻气层的阻气层叠体，其特征在于，所述阻气层为向有机硅化合物薄膜注入离子而得到的，所述有机硅化合物薄膜通过使用有机硅化合物作为成膜原料的CVD法形成，且折射率为1.46～1.60。
4.如权利要求1～3中任一项所述的阻气层叠体，其特征在于，所述离子为选自氢、氮、氧、氩、氦、氖、氙、氪和硅化合物中的至少一种气体离子化而成的。
5.如权利要求1～3中任一项所述的阻气层叠体，其特征在于，所述离子的注入通过等离子体离子注入进行。
6.如权利要求1～3中任一项所述的阻气层叠体，其特征在于，所述有机硅化合物薄膜的厚度为30～500nm。
7.如权利要求1～3中任一项所述的阻气层叠体，其特征在于，在40℃、相对湿度90%气氛下的水蒸气透过率为1g/m2/day以下。
8.权利要求1所述的阻气层叠体的制造方法，其特征在于，具有：在基材上，通过使用有机硅化合物作为成膜原料的CVD法，形成包含有机硅化合物的薄膜的工序；和向所形成的薄膜注入离子的工序。
9.权利要求3～7中任一项所述的阻气层叠体的制造方法，其特征在于，具有：在基材上，通过使用有机硅化合物作为成膜原料的CVD法，形成包含有机硅化合物的、折射率为1.46～1.60的薄膜的工序；和向所形成的薄膜注入离子的工序。
10.电子装置用部件，其包含权利要求1～7中任一项所述的阻气层叠体。
11.电子装置，其具备权利要求10所述的电子装置用部件。
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