[发明专利]太阳能电池用基板的制造方法和太阳能电池

权利要求书

1.一种半导体基板的制造方法，其特征在于，

所述半导体基板的制造方法包括：

喷砂工序，针对通过对硅锭进行切片制造出的作为切片状态的硅基板的第一面，通过喷砂处理进行表面处理；以及

表面处理工序，在所述喷砂工序之后，利用含有氢氟酸和硝酸中的任意一种以上的腐蚀溶液，对所述硅基板进行表面处理。

2.根据权利要求1所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，所述半导体基板的制造方法还包括切片工序，

所述切片工序通过对硅锭进行切片，制造所述第一面和第二面对从600nm到800nm范围的光的波长具有28%以上36%以下的反射率的硅基板，所述第二面是与所述第一面相反一侧的面，

通过所述切片工序制造所述作为切片状态的硅基板。

3.根据权利要求2所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，所述切片工序使用了固定磨粒方式的丝，

通过电沉积、树脂、金属或利用了它们的复合的方法，把金刚石磨粒固定在金属丝表面，得到所述固定磨粒方式的丝。

4.根据权利要求2或3所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，在利用所述腐蚀溶液进行的所述表面处理工序中，利用所述腐蚀溶液对所述第一面和所述第二面同时进行表面处理。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，所述硅锭是多晶硅。

6.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池是使用半导体基板制造出来的，所述半导体基板是通过权利要求1至5中任一项所述的半导体基板的制造方法制造出来的。