[实用新型]直流电高电压输入保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种电路，尤其是指一种高电压输入保护电路。

背景技术

熟知的，电子产品均有一个系统额定输入电压范围，其取决于一般供电电压标准及电子产品内部的芯片情况，然而随着产品的多元化，现有用户一家有多个充电器已不少见，而充电接头的品种往往也会有重复的。这就导致不同电压的充电器之间容易产生混用，然而一旦所插接的充电器电压高于对应电子产品的正常使用电压范围的电源时，极易导致产品的损坏。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服了上述缺陷，提供一种供直流供电产品保护其不被插入的高电压损坏的直流电高电压输入保护电路。

本实用新型的目的是这样实现的：一种直流电高电压输入保护电路，它包括电源输出调整模块、电源输出控制模块及电源输出开关模块；所述电源输出调整模块接入输入电压，电源输出调整模块连接电源输出控制模块，电源输出控制模块连接电源输出开关模块，电源输出开关模块输出正常输出电压；电源输出调整模块根据输入电压是否符合设定从而启动电源输出控制模块的开/关，电源输出开关模块的正常输出电压根据电源输出控制模块开/关对应导通/关断；

上述结构中，所述电源输出开关模块包括P沟道MOS管；

上述结构中，所述电源输出控制模块包括NPN型三极管；所述电源输出调整模块包括稳压管；所述稳压管负极连接输入电压，稳压管正极连接三极管基极，三极管的集电极与P沟道MOS管的栅极相连，三极管发射极接地，所述P沟道MOS管的漏极输出所述正常输出电压；

上述结构中，所述输入电压还通过电阻后连接三极管的集电极；所述输入电压连接P沟道MOS管的源极；

上述结构中，所述P沟道MOS管的源极与栅极之间还串接有R1第一电阻；

上述结构中，所述稳压管与三极管之间还串接有R3第三电阻；

上述结构中，所述R3第三电阻一路连接三极管，另一路串联R4第四电阻后接入地。

本实用新型的有益效果在于设置了电源输出调整模块、电源输出控制模块及电源输出开关模块构成的保护电路，从而用户误插入了高于设备正常使用电压范围的电源时，保护产品不被插入的高于本机供电范围电源而损坏，相比现有无保护电路的产品而言增加本专利电路能够保证产品的稳定性和安全性。

附图说明

下面结合附图详述本实用新型的具体结构

图1为本实用新型的电路原理框图；

图2为本实用新型的电路结构示意图。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。

请参阅图1，本实施方式涉及一种直流电高电压输入保护电路，它包括电源输出调整模块、电源输出控制模块及电源输出开关模块；所述电源输出调整模块接入输入电压，电源输出调整模块连接电源输出控制模块，电源输出控制模块连接电源输出开关模块，电源输出开关模块输出正常输出电压；电源输出调整模块根据输入电压是否符合设定从而启动电源输出控制模块的开/关，电源输出开关模块的正常输出电压根据电源输出控制模块开/关对应导通/关断。

上述电路结构中，电源输出开关模块可直接采用P沟道MOS管。

参见图2为一具体实施例的电路图，本实施例中电源输出开关模块采用的就是P沟道MOS管Q2，电源输出控制模块则采用NPN型三极管Q1和Q3，而电源输出调整模块则包括有稳压管D1。稳压管D1的负极连接输入电压VIN，稳压管D1的正极通过R3电阻和R4电阻分压后连接三极管Q1的基级，三极管Q1的集电极与三极管Q3的基极连接，Q3集电极通过电阻R2与P沟道MOS管Q2的栅极相连，三极管的发射极接地，所述P沟道MOS管Q2的漏极输出所述正常输出电压VOUT，在P沟道MOS管Q2的源极与栅极之间还串接有电阻R1。上述中，输入电压VIN还通过电阻R1和R2后连接三极管Q1的集电极、输入电压VIN还连接P沟道MOS管Q2的源极。