[发明专利]模拟存储单元中的优化的阈值搜索

说明书

技术领域

本发明一般涉及存储设备，尤其涉及设定读取模拟存储单元的阈值的方法和系统。

背景技术

几种存储设备，比如闪速存储器利用模拟存储单元的阵列来保存数据。每个模拟存储单元保持代表保存在该存储单元中的数据的一定水平的给定物理量，比如电荷或电压。所述物理量的水平也被称为模拟存储值或者模拟值。在闪速存储器中，例如，每个模拟存储单元保持一定量的电荷。可能模拟值的范围一般被分成多个区域，每个区域对应于代表一个或多个数据比特值的编程状态或编程层次。通过写入对应于一个或多个期望比特的标称模拟值，把数据写入模拟存储单元中。

通常称为单阶存储单元(SLC)设备的一些存储设备在每个存储单元中保存单一比特的信息，即，每个存储单元可被编程呈现两种可能的存储状态。通常称为多阶存储单元的更高密度的设备每个存储单元保存两个或者更多的比特，即，可被编程呈现两种以上的可能的存储状态。

例如在Bez等的“Introduction to Flash Memory”(Proceedings of the IEEE,volume91,number4，2003年4月，第489-502页)中描述了闪速存储设备，该论文在此引为参考。例如在Eitan等的“Multilevel Flash Cells and their Trade-Offs”(Proceedings of the1996IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM),New York,New York，第169-172页)中描述了多阶闪速存储单元和设备，该论文在此引为参考。该论文比较了几种多阶闪速存储单元，比如commonground，DINOR，AND，NOR和NAND单元。

Eitan等在“Can NROM,a2-bit,Trapping Storage NVM Cell,Give a Real Challenge to Floating Gate Cells?”(Proceedings of the1999International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM),Tokyo,Japan，1999年9月21-24日，第522-524页)中描述了另一种称为氮化物只读存储器(NROM)的模拟存储单元，该论文在此引为参考。Maayan等在“A512Mb NROM Flash Data Storage Memory with8MB/s Data Rate”(Proceedings of the2002IEEE International Solid-State Circuits Conference(ISSCC2002),San Francisco,California，2002年2月3-7日，第100-101页)中，也披露了NROM单元，该论文在此引为参考。其它例证类型的模拟存储单元是浮栅(FG)单元、铁电RAM(FRAM)单元、磁性RAM(MRAM)单元、电荷捕获闪速(CTF)和相变RAM(PRAM，也称为相变存储器-PCM)单元。例如，在Kim和Koh的“Future Memory Technology including Emerging New Memories”(Proceedings of the24^thInternational Conference on Microelectronics(MIEL),Nis,Serbia and Montenegro，2004年5月16-19日，volume1，第377-384页)中描述了FRAM、MRAM和PRAM单元，该论文在此引为参考。

本领域中已知设定读取模拟存储单元的读取阈值和其它读取参数的各种技术。例如，其公开内容在此引为参考的美国专利申请公开2009/0199074披露了一种操作包括模拟存储单元的存储器的方法。该方法包括用可用多个方程表示的纠错码(ECC)对数据编码。通过把相应的输入存储值写入一组模拟存储单元中的各个存储单元中，把编码数据保存在所述一组模拟存储单元中。通过把一个或多个不同的相应读取参数用于每组输出存储值，从所述一组模拟存储单元中的各个存储单元中，读取多组输出存储值。确定由相应各组输出存储值满足的方程的数目。响应满足的方程的相应数目，识别读取参数的优选设定。利用读取参数的优选设定，对存储器进行操作。

发明内容