[发明专利]一种基于7管异或同或单元的全加器电路无效

专利信息
申请号: 201210581604.0 申请日: 2012-12-27
公开(公告)号: CN103078629A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 丁颜玉;黄晴晴;路崇;王德明 申请(专利权)人: 广州中大微电子有限公司
主分类号: H03K19/20 分类号: H03K19/20
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 方振昌
地址: 510800 广*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 基于 单元 全加器 电路
【权利要求书】:

1.一种基于7管异或同或单元的全加器电路,其特征在于:该电路包括有7管异或同或单元、全加和模块和进位模块,所述7管异或同或单元的输出端连接到全加和模块的输入端,所述7管异或同或单元的输出端还连接到进位模块的输入端。

2.根据权利要求1所述的一种基于7管异或同或单元的全加器电路,其特征在于:所述7管异或同或单元包括有第一PMOS管(1)、第二PMOS管(3)、第四PMOS管(7)、第一NMOS管(2)、第二NMOS管(4)和CMOS反相器(16),所述第一PMOS管(1)的源极与电源正极连接,所述第一PMOS管(1)的漏极与第二PMOS管(3)的源极连接,所述第一PMOS管(1)的栅极分别与第二PMOS管(3)的栅极、第一NMOS管(2)的漏极、第二NMOS管(4)的栅极连接,所述第二NMOS管(4)的栅极作为7管同或异或单元的第二输入端,所述第二PMOS管(3)的漏极分别与第一NMOS管(2)的源极、第二NMOS管(4)的源极、第四PMOS管(7)的漏极和CMOS反相器(16)的输入端连接,所述第二PMOS管(3)的漏极作为7管同或异或单元输出端的同或输出端口,所述第一NMOS管(2)的栅极与第二NMOS管(4)的漏极连接,所述第一NMOS管(2)的栅极作为7管同或异或单元的第一输入端,所述第四PMOS管(7)的源极与电源正极连接,所述第四PMOS管(7)的栅极连接至CMOS反相器(16)的输出端并作为7管同或异或单元输出端的异或输出端口。

3.根据权利要求2所述的一种基于7管异或同或单元的全加器电路,其特征在于:所述全加和模块包括有第一传输门(17)和数据选择器(18),所述第一传输门(17)的输入端连接至数据选择器(18)的控制端并作为全加和模块的进位输入端,所述7管同或异或单元输出端的同或输出端口分别与第一传输门(17)的第二控制端和数据选择器(18)的第一输入端连接,所述7管同或异或单元输出端的异或输出端口分别与第一传输门(17)的第一控制端和数据选择器(18)的第二输入端连接,所述第一传输门(17)的输出端连接至数据选择器(18)的输出端并作为全加和模块的输出端。

4.根据权利要求2所述的一种基于7管异或同或单元的全加器电路,其特征在于:所述进位模块包括有第二传输门(19)和第三传输门(20),所述7管同或异或单元输出端的同或输出端口分别与第二传输门(19)的第一控制端和第三传输门(20)的第二控制端连接,所述7管同或异或单元输出端的异或输出端口分别与第二传输门(19)的第二控制端和第三传输门(20)的第一控制端连接,所述第二传输门(19)的输入端作为进位模块的进位输入端,所述第三传输门(20)的输入端作为进位模块的信号输入端,所述进位模块的信号输入端的输入信号与7管同或异或单元的第一输入端的输入信号相同,所述第二传输门(19)的输出端连接至第三传输门(20)的输入端并作为进位模块的输出端。

5.根据权利要求2所述的一种基于7管异或同或单元的全加器电路,其特征在于:所述CMOS反相器(16)由第三PMOS管(5)和第三NMOS管(6)组成。

6.根据权利要求3所述的一种基于7管异或同或单元的全加器电路,其特征在于:所述第一传输门(17)由第四NMOS管(8)和第五PMOS管(9)组成,所述第五PMOS管(9)的栅极作为第一传输门(17)的第一控制端,所述第四NMOS管(8)的栅极作为第一传输门(17)的第二控制端。

7.根据权利要求3所述的一种基于7管异或同或单元的全加器电路,其特征在于:所述数据选择器(18)由第五NMOS管(10)和第六PMOS管(11)组成,所述第五NMOS管(10)的栅极连接至第六PMOS管(11)的栅极并作为数据选择器(18)的控制端,所述第五NMOS管(10)的源极作为数据选择器(18)的第一输入端,所述第六PMOS管(11)的源极作为数据选择器(18)的第二输入端,所述第五NMOS管(10)的漏极连接至第六PMOS管(11)的漏极并作为数据选择器(18)的输出端。

8.根据权利要求4所述的一种基于7管异或同或单元的全加器电路,其特征在于:所述第二传输门(19)由第六NMOS管(12)和第七PMOS管(13)组成,所述第七PMOS管(13)的栅极作为第二传输门(19)的第一控制端,所述第六NMOS管(12)的栅极作为第二传输门(19)的第二控制端;所述第三传输门(20)由第七NMOS管(14)和第八PMOS管(15)组成,所述第八PMOS管(15)的栅极作为第三传输门(20)的第一控制端,所述第七NMOS管(14)的栅极作为第三传输门(20)的第二控制端。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州中大微电子有限公司,未经广州中大微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210581604.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top