[发明专利]高磁导率铁氧体材料

说明书

技术领域

本发明涉及铁氧体材料领域，特别是涉及一种高磁导率铁氧体材料。

背景技术

随着数字通信技术和光纤通信技术的快速发展，传统的模拟通信设备不断地更新、淘汰。在电子电路宽带变压器、综合业务数据网（ISDN）、局域网（LAN）、广域网（WAN）、背景照明等领域的脉冲变压器中使用的高磁导率MnZn铁氧体磁芯，需要具有很高的起始磁导率和稳定性。

目前，随着国内铁氧体工业的不断进步，现有的高磁导率铁氧体材料的原料性能均匀，粒度分布窄，团聚性小，从而可明显减小涡流损耗和磁致损耗，然而，这类高磁导率铁氧体材料的初始磁导率值还是在10000μi左右，且其居里温度交底、温度稳定性较差，因此适用范围较窄，不足以满足使用要求。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是：针对现有技术的不足，提供一种高磁导率铁氧体材料，具有良好的频率特性和稳定性，即随着频率的增高磁导率衰减缓慢，阻抗降低较小，还具有较高的居里温度和良好的温度特性。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种高磁导率铁氧体材料，所述高磁导率铁氧体材料是由主要成分和辅助成分组成的，其中，所述主要成分及其摩尔百分比为：

Fe₂O₃：51%-54%；

MnO：20%-25%；

ZnO：23%-27%；

所述辅助成分为CaCO₃、Bi₂O₃、MoO₃、Nb₂O₅、Co₂O₃和Ta₂O₅中的任意四种。

在本发明一个较佳实施例中，所述Fe₂O₃的纯度大于99%，所述MnO的纯度大于96%，所述ZnO的纯度大于99.5%。

在本发明一个较佳实施例中，所述辅助成分及其质量百分比为：

CaCO₃：0.01%-0.05%；

Bi₂O₃：0.05%-0.1%；

MoO₃：0.05%-0.15%；

Nb₂O₅：0.01%-0.05%。

在本发明一个较佳实施例中，所述辅助成分及其质量百分比为：

CaCO₃：0.01%-0.05%；

MoO₃：0.05%-0.15%；

Co₂O₃：0.05%-0.1%；

Ta₂O₅：0.01%-0.05%。

在本发明一个较佳实施例中，所述高磁导率铁氧体材料的初始磁导率大于等于15000μi。

本发明的有益效果是：1）通过材料的合理选配，使高磁导率铁氧体材料的初始磁导率高达15000μi以上；2）辅助成分MoO₃的掺入，及其含量的控制，能很好地改善材料显微结构，提高材料磁导率。本发明的高磁导率铁氧体材料具有良好的频率特性和稳定性，即随着频率的增高磁导率衰减缓慢，阻抗降低较小，还具有较高的居里温度和良好的温度特性。

具体实施方式

下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

本发明实施例包括：

实施例一：

一种高磁导率铁氧体材料，所述高磁导率铁氧体材料是由主要成分和辅助成分组成的，其中，所述主要成分及其摩尔百分比为：

Fe₂O₃：52.5%；

MnO：22%；

ZnO：25.5%；

所述辅助成分及其质量百分比为：

CaCO₃：0.03%；

Bi₂O₃：0.075%；

MoO₃：0.1%；

Nb₂O₅：0.035%。