[发明专利]镁合金微弧氧化低能耗黑色陶瓷膜及制备方法

权利要求书

1.镁合金微弧氧化低能耗黑色陶瓷膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）前处理

将镁合金用SiC砂纸打磨，然后进行清洗并用热风吹干，置于干燥器中待用；

（2）微弧氧化

以镁合金为阳极，不锈钢薄板为阴极，将前处理后的镁合金浸泡在电解液中，采用交流恒流模式对镁合金进行微弧氧化处理，完毕后将镁合金取出用去离子水清洗，干燥后即得黑色陶瓷膜。

2.根据权利要求1所述的镁合金微弧氧化低能耗黑色陶瓷膜的制备方法，其特征在于以加入的去离子水的体积为计算基准，所述电解液是由10～30g/L Na₂SiO₃、10～25g/L 六偏柠酸钠、10～16g/L KF、8～12g/L NH₄VO₃、1～4g/L EDTA、2～6g/L 柠檬酸钠和去离子水组成的。

3.根据权利要求2所述的镁合金微弧氧化低能耗黑色陶瓷膜的制备方法，其特征是步骤（1）依次用150^#、400^#、600^#、800^#的SiC砂纸将镁合金，表面打磨至划痕方向一致。

4.根据权利要求3所述的镁合金微弧氧化低能耗黑色陶瓷膜的制备方法，其特征是：步骤（2）中所述阴极与阳极之间的距离为5cm。

5.根据权利要求4所述的镁合金微弧氧化低能耗黑色陶瓷膜的制备方法，其特征是：步骤（1）所述清洗为依次采用丙酮、无水乙醇、去离子水在的超声波中清洗，清洗时间分别为5～10min，温度为20℃。

6.根据权利要求4所述的镁合金微弧氧化低能耗黑色陶瓷膜的制备方法，其特征是：所述交流恒流模式中各电参数为：频率400～800HZ、占空比20%～50%、电流密度4.25～10.62A/dm²、氧化时间6～10min、正负脉冲比3:1～9:1。

7.由权利要求1～6任一项所述制备方法制得的镁合金微弧氧化低能耗黑色陶瓷膜。