[发明专利]一种AlGaN基深紫外LED器件及其制造方法

权利要求书

1.一种AlGaN基深紫外LED器件，衬底是蓝宝石、碳化硅或AlN，器件外延结构包括 AlN本征层、n型 AlGaN底层、AlGaN多量子阱有源区、p型层，其特征在于采用纤锌矿氮化硼作为p型层材料。

2.根据权利要求1所述的一种AlGaN基深紫外LED器件，其特征在于所述的AlN本征层是脉冲原子沉积法和普通生长方法交替生长的1000℃以上，无掺杂的高温本征层。

3.根据权利要求1所述的一种AlGaN基深紫外LED器件，其特征在于2-10个周期的AlGaN多量子阱，其势垒层的组分在20%-100%之间，其量子阱层的组分在0-80%之间。

4.根据权利要求1所述的一种AlGaN基深紫外LED器件，其特征在于所述的p型层的厚度在200-1000纳米，采用Mg掺杂，空穴浓度达到1x10¹⁸cm^-3以上。

5.一种AlGaN基深紫外LED器件的制造方法，其特征在于包括:

（1）材料生长步骤：

在蓝宝石、碳化硅或AlN衬底上，利用 MOCVD工艺，依次生长AlN本征层、n型 AlGaN底层、AlGaN多量子阱有源区和p型 BN层，

（2）器件制作步骤：

①采用 ICP或者 RIE工艺从顶部 p型 BN层刻蚀至 n型 AlGaN底层，形成 n型 AlGaN台面；

②在 n型 A1GaN台面上光刻出 n型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发 n型欧姆接触金属，形成 n型电极；

③在 p型 BN层光刻出 p型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发 p型欧姆接触金属，形成 p型电极，完成器件制作。

6.根据权利要求1所述的一种AlGaN基深紫外LED器件的制造方法，其特征在于所述的p型 BN层材料采用纤锌矿氮化硼。

7.根据权利要求1所述的一种AlGaN基深紫外LED器件的制造方法，其特征在于所述的AlN本征层是脉冲原子沉积法和普通生长方法交替生长的1000℃以上，无掺杂的高温本征层。

8.根据权利要求1所述的一种AlGaN基深紫外LED器件的制造方法，其特征在于2-10个周期的AlGaN多量子阱，其势垒层的组分在20%-100%之间，其量子阱层的组分在0-80%之间。

9.根据权利要求1所述的一种AlGaN基深紫外LED器件的制造方法，其特征在于所述的p型BN层的厚度在200-1000纳米，采用Mg掺杂，空穴浓度达到1×10¹⁸cm^-3以上。