[发明专利]LED平板显示单元的制备方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种LED平板显示单元的制备方法，该方法具有极小像素间距的LED平板显示单元，并可以通过外接驱动控制电路对各个发光单元进行独立控制，可以用于LED平板显示和LED全彩显示器等。

背景技术

彩色液晶显示器中的主要材料是液晶、ITO玻璃、偏光片和滤色膜，通过背光源来进行显示。液晶电视由于其结构的特点，在亮度、响应时间、色彩还原等方面存在不足。LED的自身特性决定了采用LED自发光技术可以大大改善液晶显示技术的不足。此外，与液晶显示技术相比，LED自发光显示较液晶显示减少了液晶、ITO玻璃、偏光片和滤色膜以及制作过程中产生的各项成本。

直接采用LED面板作为显示屏，缩小LED像素间距是一项重要任务，通常使用的表贴式封装LED无法满足这方面的需要。目前常见的LED平板显示单元中的显示像素由封装好的LED单元组成。由于所述LED单元包括数颗LED芯片、引线框、散热基片和透明封胶，限制了像素的间距和大小，因此很难实现高分辨率显示。为实现高分辨率LED平板显示，本发明利用倒装技术(Flip-chip)，将LED芯片直接放置在封装基板上，在实现极小间距和高分辨率的同时简化了原有生产工艺。

发明内容

本发明的目的是提供一种LED平板显示单元的制备方法，该方法具有极小像素间距、控制性能好、易于安装。

为达到上述目的，本发明提供一种LED平板显示单元的制备方法，包含如下步骤：

步骤1：取一基板，在基板上制作电路和金属凸点；

步骤2：采用倒装工艺，将多个LED芯片制作在基板上，缩小LED芯片之间的间距；该LED芯片与基板上的电路通过金属凸点实现电连接；

步骤3：取一驱动基板；

步骤4：将制作有LED芯片的基板与驱动基板电性互联，完成制备。

本发明提供与现有技术相比：其是利用倒装技术(Flip-chip)，将LED芯片直接放置在驱动基板上，在实现极小间距和高分辨率的同时简化了原有生产工艺。

附图说明

为进一步说明本发明的技术内容，以下结合附图及实施例对本发明作进一步说明，其中：

图1为本发明的制备流程图；

图2是本发明的基板示意图；

图3是完成LED芯片倒装后的基板平面图；

图4是本发明制备完成后的结构示意图，其中图4a是采用压焊方式完成基板结合方式的结构，图4b是采用通孔技术完成基板结合的结构，图4c是将驱动电路直接制作在基板的背面，结合通孔技术完成本发明的结构示意图。

具体实施方式

请参阅图1，并结合参阅图2-4所示，本发明提供了一种LED平板显示单元的制备方法，包含如下步骤：

步骤1：取一基板1，所述基板1的材料为硅片、陶瓷、线路板或金属板，在所述基板1上制作电路11和倒装LED芯片2所需的金属凸点12(参阅图2)，所述电路11的布线原则是将LED阵列中每行LED芯片2的阳极连接在一起，每列LED芯片2的阴极连接在一起；所述电路11和金属凸点12可以通过光刻、金属淀积制作，并在金属淀积后进行退火处理。此外，在所述电路11之间淀积二氧化硅进行隔离处理，起到防止电路11之间短路的作用。电路11最终引到基板1的边缘。可以采用下列两种不同方式在所述基板1的边缘处形成导电通道：在所述基板1的边缘处利用化学腐蚀或激光打孔工艺在边缘处制作多个通孔，并对所述通孔进行电镀，完成导电通道的制作，或者可在所述基板1的边缘处利用光刻、金属淀积工艺制作金属电极，以便在后道工序中通过压焊工艺完成导电通道的制作。

步骤2：采用倒装工艺，将多个LED芯片2制作在基板1上(参阅图3)，缩小LED芯片2之间的间距；利用倒装工艺将所述LED芯片2与基板1上的金属凸点12准确对位并压焊在一起，使LED芯片2与基板1上的电路11通过金属凸点12形成电连接；通过将所述多个LED芯片2倒装在基板1上来组成LED芯片阵列，所述LED芯片2之间的间距为10-100μm，所述LED芯片阵列中的LED芯片2是单色或者多色芯片；其中红光芯片可以是由GaAs、GaInP或具有高In组分的InGaN材料制成。蓝绿光芯片则由III-V族材料通过芯片工艺制成。

步骤3：取一驱动基板3，所述驱动基板3上的驱动电路是主动式驱动电路，或是被动式驱动电路。