[发明专利]一种硅片制绒方法及硅片制绒装置在审

专利信息
申请号: 201210449233.0 申请日: 2012-11-12
公开(公告)号: CN103811583A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 韩允 申请(专利权)人: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;C30B33/08
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;张天舒
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 硅片 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种硅片制绒方法,其特征在于,包括以下步骤:

10)采用腐蚀溶液同时对硅片的受光面和背光面进行腐蚀,以去除所述硅片的受光面和背光面的损伤层;

20)采用腐蚀溶液单独对去除损伤层后的所述硅片的受光面进行腐蚀,以使所述受光面形成绒面。

2.根据权利要求1所述的硅片制绒方法,其特征在于,在所述步骤10)之后,所述步骤20)之前,还包括以下步骤:

15)去除所述背光面上存在的腐蚀溶液。

3.根据权利要求2所述的硅片制绒方法,其特征在于,在步骤15)中,采用吹风或烘干的方式去除所述背光面上存在的腐蚀溶液。

4.根据权利要求1所述的硅片制绒方法,其特征在于,在所述步骤10)中,采用浸泡或喷淋腐蚀溶液的方式同时对所述硅片的受光面和背光面进行腐蚀;

在所述步骤20)中,采用浸泡或喷淋腐蚀溶液的方式单独对所述硅片的受光面进行腐蚀。

5.一种硅片制绒装置,其特征在于,包括第一腐蚀单元和第二腐蚀单元,其中

所述第一腐蚀单元用于采用腐蚀溶液同时对硅片的受光面和背光面进行腐蚀,以去除所述受光面和背光面的损伤层;

所述第二腐蚀单元用于采用腐蚀溶液单独对经所述第一腐蚀单元腐蚀后的所述硅片的受光面进行腐蚀,以使所述受光面形成绒面。

6.根据权利要求5所述的硅片制绒装置,其特征在于,所述硅片制绒装置还包括传送单元,所述传送单元包括第一滚轮和驱动源,所述第一滚轮排列形成用于传送所述硅片的传送带;所述驱动源与所述第一滚轮连接,在所述驱动源的驱动下,所述第一滚轮通过旋转带动所述硅片移动;

由所述第一滚轮排列形成的传送带包括沿所述硅片的移动方向依次排列的第一腐蚀区域和第二腐蚀区域,其中

所述第一腐蚀单元在所述硅片经过所述第一腐蚀区域的过程中,采用腐蚀溶液同时对硅片的受光面和背光面进行腐蚀,以去除所述受光面和背光面的损伤层;

所述第二腐蚀单元在所述硅片经过所述第二腐蚀区域的过程中,采用腐蚀溶液单独对经所述第一腐蚀单元腐蚀后的所述硅片的受光面进行腐蚀,以使所述受光面形成绒面。

7.根据权利要求6所述的硅片制绒装置,所述第一腐蚀单元为盛有所述腐蚀溶液的第一槽体,所述第二腐蚀单元为盛有所述腐蚀溶液的第二槽体;

排列在所述第一腐蚀区域中的所述第一滚轮位于所述第一槽体中,且其顶端的高度被设置为:在所述硅片经过所述第一腐蚀区域的过程中,使所述硅片的上表面的高度低于所述第一槽体中的腐蚀溶液的液面高度;

排列在所述第二腐蚀区域中的所述第一滚轮位于所述第二槽体中,且其顶端的高度被设置为:在所述硅片经过所述第二腐蚀区域的过程中,使所述硅片的上表面的高度高于所述第二槽体中的腐蚀溶液的液面高度,且使所述硅片的下表面的高度不高于所述第二槽体中的腐蚀溶液的液面高度;并且

所述硅片的上表面为所述硅片的背光面,所述硅片的下表面为所述硅片的受光面。

8.根据权利要求6所述的硅片制绒装置,其特征在于,所述传送单元还包括第二滚轮,所述第二滚轮分别对应地排列在所述第一腐蚀区域和第二腐蚀区域中的所述第一滚轮的上方,并且所述第二滚轮与第一滚轮之间具有可供所述硅片通过的间隙。

9.根据权利要求6所述的硅片制绒装置,其特征在于,所述驱动源包括电机、气缸或液压驱动。

10.根据权利要求6所述的硅片制绒装置,其特征在于,在所述第一槽体中设置有循环泵,所述循环泵用于通过向上抽取腐蚀溶液来促使所述第一槽体中的腐蚀溶液上下循环流动。

11.根据权利要求6所述的硅片制绒装置,其特征在于,在所述第二槽体中设置有泵浦,在所述硅片经过所述第二腐蚀区域的过程中,所述泵浦用于使所述第二槽体中的腐蚀溶液朝向所述硅片的下表面涌动。

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