[发明专利]半导体集成电路和使用它的光传感器设备

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路和使用它的光传感器设备。

背景技术

对携带设备所内置的光传感器来说，期望高灵敏度和高精度。

在上述光传感器的制造中，光接收灵敏度的偏差或发光强度的特性偏差成为问题，需要在构成上述光传感器的半导体集成电路中包括内置了熔丝的调整电路(trimming circuit)，通过将熔丝熔断而进行上述半导体集成电路的调整，从而降低上述光传感器的制造偏差。在该情况下，熔丝的熔断对上述半导体集成电路造成损伤，所以优选尽可能减少要熔断的熔丝的数量。

作为上述那样的、包括了内置熔丝的调整电路的半导体集成电路，有特开昭63-164239号公报所公开的半导体集成电路装置。如图8所示，在该半导体集成电路装置中，包括：作为被校正电路的模拟电路3；将模拟电路3的电路常数在增加方向上进行修正的第1调整电路1；以及将模拟电路3的电路常数在减少方向上进行修正的第2调整电路2。第1调整电路1具有加权的电阻值R、2R、4R的电阻R1、R2、R3，另一方面，第2调整电路2具有加权的电阻值R、2R、4R的电阻R4、R5、R6。

上述各电阻R1～R6通过开关元件(晶体管)Q1～Q6和反相器，连接到具有存储元件功能的熔丝元件F1～F6，通过在端子焊盘(pad)P上施加规定的编程电压进行对各熔丝元件F1～F6的程序(写入)。

即，由上述端子焊盘P施加了编程电压的熔丝元件被熔断而成为截止状态，仅与其对应的电阻从模拟电路3分开。相对于此，未熔断的电阻并联地连接到模拟电路3的发射极负载电阻R_E。由此，选择通过上述程序分开的电阻，修正模拟电路3的电路常数。

此外，作为包括检测被调整电路熔断的熔丝的信息而生成并输出调整信息的调整信息生成电路的半导体集成电路，有特开2008-293206号公报所公开的半导体集成电路装置。如图9所示，该半导体集成电路装置包括调整信号生成电路6和可变电阻元件7。

上述调整信号生成电路6检测内置的熔丝的熔断信息并作为调整信息输出。

在上述可变电阻元件7上设置串联连接的5个电阻R0～R4，各电阻R0、R1、R2、R3、R4具有加权的电阻值R、R、2R、4R、8R。而且，在电阻R1的两端，连接有具有开关元件功能的晶体管MN0的源极和漏极。以下，同样地，在电阻R2的两端连接有晶体管MN1的源极和漏极，在电阻R3的两端连接有晶体管MN2的源极和漏极，在电阻R4的两端连接有晶体管MN3的源极和漏极。

此外，在上述晶体管MN0的栅极上，连接有调整信号生成电路6的调整信号端子FUSE[0]。以下，同样地，在晶体管MN1的栅极上连接有调整信号端子FUSE[1]，在晶体管MN2的栅极上连接有调整信号端子FUSE[2]，在晶体管MN3的栅极上连接有调整信号端子FUSE。

这里，如上所述，优选尽可能减少为了进行半导体集成电路装置5的调整而要熔断的熔丝的数，因此优选使上述调整所需要的熔丝的数本身少。作为这样的使上述调整用的熔丝少的调整信号生成电路6，考虑图10所示的电路结构。

在图10所示的调整信号生成电路6中，每个调整信号端子FUSE[0]～FUSE[3]具有内部电路6a～6d，对应于各个内部电路6a～6d分别设置一个熔丝。而且，在内部电路6a中，连接到调整信号端子FUSE[0]的节点N0通过上拉电阻R_B0连接到电源Vcc，并且通过熔丝F0而被接地。以下，在内部电路6b～6d中也同样地，调整信号端子FUSE[1]通过上拉电阻R_B1连接到电源Vcc，并且通过熔丝F1而被接地，调整信号端子FUSE[2]通过上拉电阻R_B2连接到电源Vcc，并且通过熔丝F2而被接地，调整信号端子FUSE[3]通过上拉电阻R_B3连接到电源Vcc，并且通过熔丝F3而被接地。

在上述结构的半导体集成电路装置5中，例如，若内部电路6c的熔丝F2被熔断，则从对应的调整信号端子FUSE[2]输出接近电源电压Vcc的电位的调整信号。由此，可变电阻元件7的晶体管MN2导通，电阻R3的两端被短路。另一方面，在内部电路6b的熔丝F1没有被熔断的情况下，对应的调整信号端子FUSE[1]仍然被接地。由此，可变电阻元件7的晶体管MN1维持截止状态而电阻R2的两端没有被短路。于是，对应于熔断的熔丝的晶体管导通，从而对应的电阻的两端被短路。其结果，串联连接的电阻R0～R4的合成电阻值成为与没有被熔断的熔丝对应的电阻的电阻值的合计值。