[发明专利]LTPS-TFT阵列基板及其制造方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别是指一种LTPS-TFT阵列基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

TFT LCD（薄膜晶体管液晶显示器）可分为多晶硅(Poly-Si)TFT与非晶硅(a-Si)TFT，两者的差异在于电晶体特性不同。多晶硅的分子结构在一颗晶粒（Grain）中的排列状态是整齐而有方向性的，因此电子移动率比排列杂乱的非晶硅快了很多倍；一般所称的TFT-LCD是指非晶硅，目前技术成熟，为LCD的主流产品。而多晶硅产品则主要包含高温多晶硅(HTPS)与低温多晶硅(LTPS)二种产品。

低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)薄膜晶体管液晶显示器是在封装过程中，利用准分子镭射作为热源，镭射光经过投射系统后，会产生能量均匀分布的镭射光束，投射于非晶硅结构的玻璃基板上，当非晶硅结构玻璃基板吸收准分子镭射的能量后，会转变成为多晶硅结构，因整个处理过程都是在600℃以下完成，故一般玻璃基板皆可适用。

LTPS-TFT LCD具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率等优点，加上由于LTPS-TFT LCD的硅结晶排列较a-Si有次序，使得电子移动率相对高100倍以上，可以将外围驱动电路同时制作在玻璃基板上，达到系统整合的目标、节省空间及驱动IC的成本，能很好的提高TFT的性能，大大改善器件性能。但LTPS-TFT半导体层制备工艺复杂，需要增加构图（Mask）工艺的数量，这使得阵列基板的制造成本过高。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种LTPS-TFT阵列基板及其制造方法、显示装置，能够简化LTPS-TFT阵列基板的制作工艺，降低LTPS-TFT阵列基板的制造成本。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种LTPS-TFT阵列基板的制造方法，包括：采用一次构图工艺同时形成所述阵列基板的像素电极和半导体层。

进一步地，上述方案中，所述采用一次构图工艺同时形成所述阵列基板的像素电极和半导体层包括：

在基板上依次沉积透明导电层、第一绝缘层和半导体层；

通过第一次构图工艺形成由所述透明导电层构成的像素电极、第一绝缘层图形以及位于所述第一绝缘层上的半导体层图形。

进一步地，上述方案中，所述制造方法还包括：

在形成栅电极之后，对栅电极两侧的半导体层进行掺杂处理，使栅电极两侧的半导体层成为N型半导体或P型半导体。

进一步地，上述方案中，所述第一次构图工艺中采用半色调掩膜工艺、灰色调掩模工艺或单狭缝掩膜工艺。

进一步地，上述方案中，所述制造方法还包括：

在经过第一次构图工艺的基板上形成第二绝缘层和栅金属层，通过第二次构图工艺形成第二绝缘层图形和由栅金属层构成的栅电极和栅线；

在经过第二次构图工艺的基板上形成第三绝缘层，通过第三次构图工艺形成贯穿第二绝缘层和第三绝缘层的过孔，并去除位于像素电极上的第二绝缘层和第三绝缘层，所述过孔形成于源电极和漏电极预设位置上，并通过所述过孔对栅电极两侧的半导体层进行掺杂处理，使栅电极两侧的半导体层成为N型半导体或P型半导体；

在经过第三次构图工艺的基板上形成源漏金属层，通过第四次构图工艺形成源电极、漏电极和数据线，所述源电极和漏电极通过所述过孔与所述半导体层连接，且所述漏电极与所述像素电极连接；

在经过第四次构图工艺的基板上形成第四绝缘层，通过第五次构图工艺去除位于像素电极上的第四绝缘层。

本发明实施例还提供了一种LTPS-TFT阵列基板，所述阵列基板为采用如上所述的制造方法制造。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的LTPS-TFT阵列基板。

本发明的实施例具有以下有益效果：

上述方案中，LTPS-TFT阵列基板的像素电极和半导体层为采用同一次构图工艺形成，不需要在制作像素电极之后，再采用额外的构图工艺来制作半导体层，同时利用过孔对多晶硅进行掺杂处理，不需要单独的掺杂Mask，简化了LTPS-TFT阵列基板的生产工艺，减少了曝光工艺，大大缩短了LTPS-TFT阵列基板的制造时间、降低了LTPS-TFT阵列基板的生产成本。

附图说明

图1为本发明实施例中经第一次构图工艺后所形成结构的截面示意图；

图2为本发明实施例中经第二次构图工艺后所形成结构的截面示意图；