[发明专利]LTPS-TFT阵列基板及其制造方法、显示装置有效
| 申请号： | 201210404310.0 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102931137A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 张方振 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;赵爱军 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ltps tft 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种LTPS-TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：采用一次构图工艺同时形成所述阵列基板的像素电极和半导体层。
2.根据权利要求1所述的LTPS-TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述采用一次构图工艺同时形成所述阵列基板的像素电极和半导体层包括：
在基板上依次沉积透明导电层、第一绝缘层和半导体层；
通过第一次构图工艺形成由所述透明导电层构成的像素电极、第一绝缘层图形以及位于所述第一绝缘层上的半导体层图形。
3.根据权利要求1所述的LTPS-TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：
在形成栅电极之后，对栅电极两侧的半导体层进行掺杂处理，使栅电极两侧的半导体层成为N型半导体或P型半导体。
4.根据权利要求2或3所述的LTPS-TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一次构图工艺中采用半色调掩膜工艺、灰色调掩模工艺或单狭缝掩膜工艺。
5.根据权利要求4所述的LTPS-TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：
在经过第一次构图工艺的基板上形成第二绝缘层和栅金属层，通过第二次构图工艺形成第二绝缘层图形和由栅金属层构成的栅电极和栅线；
在经过第二次构图工艺的基板上形成第三绝缘层，通过第三次构图工艺形成贯穿第二绝缘层和第三绝缘层的过孔，并去除位于像素电极上的第二绝缘层和第三绝缘层，所述过孔形成于源电极和漏电极预设位置上，并通过所述过孔对栅电极两侧的半导体层进行掺杂处理，使栅电极两侧的半导体层成为N型半导体或P型半导体；
在经过第三次构图工艺的基板上形成源漏金属层，通过第四次构图工艺形成源电极、漏电极和数据线，所述源电极和漏电极通过所述过孔与所述半导体层连接，且所述漏电极与所述像素电极连接；
在经过第四次构图工艺的基板上形成第四绝缘层，通过第五次构图工艺去除位于像素电极上的第四绝缘层。
6.一种LTPS-TFT阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为采用如权利要求1-5中任一项所述的制造方法制造。
7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6所述的LTPS-TFT阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
