[发明专利]具有等体积的接触凸块的共面阵列的同步降压转换器

权利要求书

1.一种设备，其包含：

载体，其具有带有多个接触垫的表面，所述垫不位于一平面上；

多个焊料凸块，其具有相同的体积，一凸块附接到每一垫，每一凸块分布在相应的垫区域上且具有带有顶端的凸起表面；且

所述顶端位于共用平面内。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述凸起凸块表面具有球形外形。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述凸起凸块表面是通过焊料回流工艺形成。

4.一种经封装电力供应模块，其包含：

具有第一电力场效晶体管FET的芯片及具有以导电方式并排附接到导电载体上的第二FET的芯片，所述晶体管具有具第一面积的接合垫，且所述载体具有具小于所述第一面积的第二面积的接合垫；及

导电凸块，其附接到所述晶体管接合垫及所述载体接合垫，所述凸块具有相等的体积且共面，所述晶体管垫上的所述凸块具有第一高度，且所述载体垫上的所述凸块具有大于所述第一高度的第二高度。

5.根据权利要求4所述的模块，其中所述第一及第二芯片具有相等的厚度。

6.根据权利要求5所述的模块，其中所述晶体管接合垫位于第一平面内，且所述载体接合垫位于与所述第一平面间隔的第二平面内，所述间隔约等于所述芯片厚度。

7.根据权利要求6所述的模块，其中所述第二凸块高度与所述第一凸块高度之间的差等于所述第一平面与所述第二平面之间的所述间隔。

8.根据权利要求4所述的模块，其中所述载体为由具有可焊接表面的金属制成的平坦板。

9.根据权利要求8所述的模块，其中所述金属包括铜或铝。

10.根据权利要求4所述的模块，其中所述第一及所述第二FET附接到一个载体表面上，而相对的载体表面可用于附接散热片。

11.根据权利要求4所述的模块，其中所述导电凸块为焊料。

12.根据权利要求11所述的模块，其中所述焊料凸块具有约0.014mm³的体积，如直径为0.3mm的焊料球所提供；晶体管接合垫面积约为0.18mm²，如由直径为0.48mm的圆形所提供；及载体接合垫面积约为0.07mm²，如由直径为0.3mm的圆形所提供。

13.根据权利要求4所述的模块，其中所述FET接合垫及所述载体接合垫由不可焊接涂层围绕。

14.根据权利要求13所述的模块，其中所述FET接合垫的所述不可焊接涂层是顺应性的，且足够厚以用作所述凸块之间的应力吸收底部填充。

15.根据权利要求4所述的模块，其中所述晶体管的所述导电凸块以由列及行组成的有序图案排列。

16.根据权利要求15所述的模块，其中所述晶体管凸块以标准占用面积排列。

17.根据权利要求4所述的模块，其中所述第一FET使其漏极以导电方式附接到所述载体，且所述第二FET使其源极以导电方式附接到所述载体。

18.根据权利要求17所述的模块，其中所述第一FET为所述模块的同步(低侧)晶体管，且所述第二FET为所述模块的控制晶体管(高侧)。