[发明专利]一种硅靶材组件的钎焊方法无效
申请号: | 201210367293.8 | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN103692041A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;宋佳 | 申请(专利权)人: | 宁波江丰电子材料有限公司 |
主分类号: | B23K1/00 | 分类号: | B23K1/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 315400 浙江省宁波市余姚*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅靶材 组件 钎焊 方法 | ||
1.一种硅靶材组件的钎焊方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供硅靶材和背板;
分别在所述硅靶材和背板的焊接面上涂覆一层铟钎料层;
将涂覆有所述铟钎料层的所述硅靶材和背板的焊接面贴合,进行钎焊,将所述硅靶材焊接至所述背板上,形成硅靶材组件;
冷却所述硅靶材组件。
2.根据权利要求1所述的硅靶材组件的钎焊方法,其特征在于,在所述硅靶材和背板的焊接面上涂覆一层铟钎料层过程中,控制所述硅靶材和背板的温度于190~250℃之间,充分熔化所述硅靶材和背板的焊接面上放置的铟钎料,从而形成所述铟钎料层。
3.根据权利要求2所述的硅靶材组件的钎焊方法,其特征在于,待所述铟钎料熔化后,以超声波处理使所述铟钎料均匀的分散于所述硅靶材和背板的焊接面上。
4.根据权利要求3所述的硅靶材组件的钎焊方法,其特征在于,所述超声波处理的工艺参数为超声波振荡器的输出功率为15KHz至30KHz。
5.根据权利要求1所述的硅靶材组件的钎焊方法,其特征在于,在将涂覆有所述铟钎料层的所述硅靶材和背板的焊接面贴合前,在所述背板或硅靶材的焊接面上放置用于聚集焊接面上熔化后钎料的钎料聚合丝杆,所述硅靶材和背板贴合后,所述钎料聚合丝杆夹于所述硅靶材和背板之间。
6.根据权利要求5所述的硅靶材组件的钎焊方法,其特征在于,所述钎料聚合丝杆直径为0.2~1.0mm。
7.根据权利要求5所述的硅靶材组件的钎焊方法,其特征在于,所述钎料聚合丝杆采用铜制成。
8.根据权利要求5所述的硅靶材组件的钎焊方法,其特征在于,所述钎料聚合丝杆放置于所述背板的中间部分。
9.根据权利要求5所述的硅靶材组件的钎焊方法,其特征在于,在所述背板或硅靶材的焊接面上放置多根直径相同的钎料聚合丝杆;所述多根钎料聚合丝杆完全位于所述硅靶材和背板的焊接面范围内,且互不相交。
10.根据权利要求1所述的硅靶材组件的钎焊方法,其特征在于,在所述硅靶材组件冷却时,在所述硅靶材与背板之间均匀施加500~900N的压力,以加强所述硅靶材和背板的连接强度的同时,防止所述硅靶材和背板冷却过程中发生形变。
11.根据权利要求1所述的硅靶材组件的钎焊方法,其特征在于,在所述硅靶材和背板的焊接面上涂覆铟钎料层以及所述钎焊过程中,控制操作环境的空气湿度小于等于40%。
12.根据权利要求1~11任一项所述的硅靶材组件的钎焊方法,其特征在于,所述背板为铜背板。
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