[发明专利]一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板及其制造方法

权利要求书

1.一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板，其特征在于，包括：

扫描线，位于底层；

信号线，与扫描线纵横交叉；

像素单元，由扫描线和信号线交叉限定；

共通电极线，位于底层；

第一绝缘层，覆盖在扫描线和共通电极线之上；

共通电极，与所述共通电极线电性连接；

第二绝缘层，覆盖在共通电极之上，其中，

所述像素单元包括薄膜晶体管和位于顶层的栅格状像素电极。

2.一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板，其特征在于，包括：

扫描线，位于底层；

信号线，与扫描线纵横交叉；

像素单元，由扫描线和信号线交叉限定；

共通电极线，位于底层；

第一绝缘层，覆盖在扫描线和共通电极线之上；

栅格状共通电极，位于顶层，且与所述共通电极线电性连接，其中，

第二绝缘层，位于栅格状共通电极之上；

所述像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，且所述第一绝缘层位于像素电极之上。

3.根据权利要求1或2所述的液晶显示面板，其特征在于：所述信号线包括第一信号线和相邻像素单元的第二信号线、以及连接第一信号线和第二信号线之间的信号线连接线，所述信号线连接线由ITO制成的。

4.根据权利要求3所述的液晶显示面板，其特征在于：所述薄膜晶体管包括：与扫描线连接的栅极、与信号线连接线连接的源极、以及与像素电极连接的漏极。

5.根据权利要求4所述的液晶显示面板，其特征在于：所述源极、漏极、以及像素电极均由ITO制成的。

6.根据权利要求4所述的液晶显示面板，其特征在于：所述源极与漏极之间设有ITO沟道。

7.根据权利要求5述的液晶显示面板，其特征在于：所述TFT沟道上形成金属氧化物层沟道图形。

8.一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步：在基板上形成第一层底层金属，该第一层底层金属形成第一信号线、相邻像素单元的第二信号线、扫描线、共通电极线、以及TFT栅极的图案；

第二步：在形成第一步的图案的基础上形成第一绝缘层，并在共通电极线上的第一绝缘层上形成第一接触孔图形；

第三步：在第一绝缘层的图案基础上形成位于像素区域内的共通电极图形，并通过共通电极线上的接触孔连接共通电极与共通电极线；

第四步：在形成第三步的图案基础上形成第二绝缘层，并在第一信号线、第二信号线、扫描线、共通电极线相应位置上形成接触孔图形；

第五步：在第二绝缘层图案上形成透明ITO层，具体形成图案为：信号线连接线、TFT源极、位于像素区域内形成栅格状像素电极、与栅格状像素电极连接形成TFT漏极、以及位于TFT源极与TFT漏极之间形成TFT沟道；

第六步：在TFT沟道上形成金属氧化物层沟道图形和沟道保护层图形。

9.一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步：在基板上形成第一层底层金属，该第一层底层金属形成第一信号线、相邻像素单元的第二信号线、扫描线、共通电极线、以及TFT栅极的图案；

第二步：在形成第一步的图案的基础上形成第一绝缘层，并在第一信号线和第二信号线上的第一绝缘层上分别形成第一接触孔和第二接触孔的图形；

第三步：在第一绝缘层上形成透明ITO层，具体形成：在第一接触孔和第二接触孔之间形成信号线连接线、与第二信号线的第二接触孔连接形成的TFT源极、位于像素区域内形成栅格状像素电极、与栅格状像素电极连接形成TFT漏极、位于TFT源极与TFT漏极之间形成TFT沟道；

第四步：在TFT沟道上形成金属氧化物层沟道图形；

第五步：在形成第四步的图案基础上形成第二绝缘层，并在扫描线和共通电极线相应位置上形成接触孔图形；

第六步：在第二绝缘层上形成栅格状共通电极图形，通过共通电极线的接触孔电连接栅格状共通电极与共通电极线。

10.根据权利要求8或9所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于：所述第一绝缘层和第二绝缘层的材料均是SiNx或SiO₂。