[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法与退火炉

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包含：

一基底；

一栅极层，形成于该基底上；

一绝缘层，形成于该栅极层及该基底上；

一氧化物半导体层，形成于该绝缘层上；

一源极/漏极层，设置于该绝缘层及该氧化物半导体层上，该源极/漏极层形成有一间隙，该氧化物半导体层自该间隙露出；

一有机压克力系光阻层，覆盖于该源极/漏极层上；

一保护层，形成于该基底、该氧化物半导体层及该光阻层上；以及

一导电层，设置于该保护层或该光阻层上且连接至该源极/漏极层或该栅极层。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该氧化物半导体层包含一非晶氧化物，该非晶氧化物包括铟、锌、及镓。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该导电层的材料包含铟锡氧化物。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该保护层为一有机保护层。

5.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，包含：

（a）提供一基底；

（b）依序形成一栅极层覆盖于该基底上、形成一绝缘层同时覆盖于该基底与该栅极层上、形成一氧化物半导体层覆盖于该绝缘层上；

（c）在该氧化物半导体层与该绝缘层上同时形成一源极/漏极层，其特征在于，该源极/漏极层形成有一间隙，使该氧化物半导体层自该间隙露出；

（d）形成一有机压克力系光阻覆盖于该源极/漏极层上，并在含有固定浓度的氧的环境中，对该氧化物半导体层进行退火处理；

（e）对该氧化物半导体层进行退火处理后，形成一保护层于该基底、该氧化物半导体层及该有机压克力系光阻上；以及

（f）对该保护层及该有机压克力系光阻进行蚀刻制程，在蚀刻制程完成后的该保护层或该有机压克力系光阻上形成一导电层且使该导电层连接至该源极/漏极层或该栅极层。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该蚀刻制程是一干式蚀刻制程。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该干式蚀刻制程是一等离子蚀刻制程。

8.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该氧化物半导体层包含一非晶氧化物，该非晶氧化物包括铟、锌及镓。

9.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该导电层的材料包含铟锡氧化物。

10.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该保护层为一有机保护层。

11.一种用于如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法中步骤(d)的退火炉，其特征在于，包含：

一第一腔体与一第二腔体，其中该第二腔体是包覆该第一腔体；

一第一气室与一第二气室，其中该第一气室内填充一氧气且该第二气室内填充一惰性气体；

一第一气道，分别连接该第一气室与该第一腔体用以将该氧气自该第一气室传送至该第一腔体；

一第二气道，该第二气道一端与该第二气室连接，该第二气道的相对另一端延伸一第一分支部与一第二分支部，该第一分支部连接该第一腔体且该第二分支部连接该第二腔体用以将该惰性气体自该第二气室分别传送至该第二腔体与该第一腔体；

一警示控制装置，包含：

一气体侦测装置，是设置于该第一腔体内，用以侦测该第一腔体内的该氧气与该惰性气体的浓度比例；

一警示装置，是与该气体侦测装置连接用以发出警示信号；以及

多个气流控制阀，是设置在该第二气道的该第一分支部与该第一气道上并连接该气体侦测装置及该警示装置，用以控制该氧气与该惰性气体进入该第一腔体的流量；以及

一气压控制装置，是分别连接该第一腔体与该第二腔体，用以控制该第一腔体与该第二腔体内部的气体压力。

12.根据权利要求11所述的退火炉，其特征在于，进一步包含一主气道，是将该第二气道的该第一支部与该第一气道汇整成一而进入该第一腔体。