[发明专利]一种LED外延片检测方法及装置

说明书

技术领域

本发明特别涉及一种LED外延片检测方法及装置。

背景技术

随着半导体技术的不断进步，如LED、光伏电池、半导体激光器等等半导体器件已被人们在日常生活、工作中广泛应用。为保证半导体器件生产过程中的质量和成本控制，一般需要在半导体器件生产过程中对其进行各种在线性能测试。以LED为例，在LED制程中，通常需要对LED外延片进行EL测试（电致发光性能测试）。例如，参阅图1，对于具有蓝宝石等绝缘衬底12的LED外延片10，现有的EL测试方法一般是在LED外延片10的半导体材料层110的一侧部点In点20，并以导电探针与LED外延片的上端面接触，之后在该导电探针和In点20之间施加直流电压，从而实现EL测试。但此种EL测试方法存在多种缺陷，例如：

其一，该测试方法操作不便，比如，因为使用In作为接触，操作时需要加热施In点部位，且高纯In成本高昂；

其二，该测试方法测试完毕后，会在LED外延片上残留In，从而对LED外延片造成污染，影响其品质；

其三，该测试方法中需要至少二个导电探针，且系采用直流电压，EL的测试波长会随电流大小变化，不仅会影响测试结果的准确性，且可能会造成LED外延片受损。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种LED外延片检测方法，其具有易于操作，成本低廉，且测试结果准确等特点，从而克服了现有技术中的不足。

为实现上述发明目的，本发明采用的LED外延片检测方法可以包括：

在LED外延片的上、下端面之间施加一交流方波电压，并且所述交流方波电压的大小足以驱动LED外延片发光。

进一步的，该LED外延片检测方法还可以包括：

将LED外延片置于一导电基底上，且使所述LED外延片的上、下端面分别与一导电探针及导电基底接触，

以及，在所述导电基底和导电探针之间施加一交流（AC）交流方波电压，并且所述交流方波电压的大小足以驱动LED外延片发光。

本发明的另一目的在于提供一种LED外延片检测装置，包括：

一用于承载LED外延片的导电基底，且所述导电基底与LED外延片下端面接触；

一导电探针，其与LED外延片的上端面接触，

以及，用于在所述导电基底与导电探针之间施加一交流方波电压的交流方波电压源，所述交流方波电压的大小足以驱动LED外延片发光。

作为优选方案之一，前述交流方波电压的大小为2-250V，尤其优选为3-60V。

作为优选方案之一，所述交流方波电压的频率为50-1MHz。

进一步的，所述LED外延片下部设有衬底，且所述衬底的下端面与导电基底接触。

进一步的，所述导电探针可与交流方波电压源的一极电连接，所述导电基底可接地或与交流方波电压源的另一极电连接。

进一步的，前述衬底可选自本领域习知的各类导电或绝缘衬底，尤其是蓝宝石等材质的绝缘衬底，但不限于此。

进一步的，所述导电基底可包括金属盘，但不限于此。

与现有技术相比，本发明至少具有如下积极效果：

（1）该LED外延片检测方法无需在LED外延片上点In，而只需借助一导电基底和一导电探针即可实施，操作简单，成本低廉，效率高，能实现在线检测，且不会对LED外延片造成任何污染，从而能有效保障其品质；

（2）该LED外延片检测方法系采用交流电压，特别是交流方波电压对LED外延片进行测试，波长不容易随电流大小变化，结果稳定，且不会对LED外延片的结构造成损伤。

（3）该LED外延片检测方法及装置适于对任何类型的LED外延片进行EL测试，具有通用性，能有效降低用户的成本。

附图说明

图1是现有LED外延片EL测试方法的原理图；

图2是本发明LED外延片EL测试方法的原理图；

图3是本发明LED外延片EL测试方法的等效电路图之一；

图4是本发明LED外延片EL测试方法的等效电路图之二；

图5是本发明一较佳实施例中LED外延片EL测试装置的结构示意图；