[发明专利]一种检测离子井中载流子迁移的方法有效
| 申请号： | 201210343371.0 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102881608A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟;郭明升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 检测 离子 载流子 迁移 方法 | ||
1.一种检测离子井中载流子迁移的方法，搭建特定结构的器件并在不同光强辐射下检测该器件中的载流子迁移现象，其特征在于，步骤包括：
步骤a，在晶圆的同一个有源区域内设置有预定间距的两种类型的离子井；
步骤b，在所述离子井的上方各添加一层金属硅化物；
步骤c，在所述离子井上方的所述金属硅化物上各形成一个接触孔；
步骤d，采用金属铜连接所述接触孔，并形成完整器件结构；
步骤e，在所述器件结构上方引入一根光纤，所述光纤用于照射所述器件表面。
2.如权利要求1所述的检测离子井中载流子迁移的方法，其特征在于，所述光纤发射不同强度的光线。
3.如权利要求1所述的检测离子井中载流子迁移的方法，其特征在于，还包括一个电子显微镜，所述光纤接入所述电子显微镜中；所述电子显微镜用于观测所述离子井中的载流子迁移现象。
4.如权利要求1所述的检测离子井中载流子迁移的方法，其特征在于，所述两种类型的离子井分别为为N型离子井和P型离子井，所述N型离子井和所述P型离子井合称为一离子井组。
5.如权利要求2所述的检测离子井中载流子迁移的方法，其特征在于，所述光纤连接一电子枪，所述电子枪用于提供所述光纤发射光线的电能。
6.如权利要求4所述的检测离子井中载流子迁移的方法，其特征在于，在所述器件结构中设有多个所述离子井组，所述离子井组具有不同的载流子浓度。
7.如权利要求6所述的检测离子井中载流子迁移的方法，其特征在于，所述离子井组中的所述两种类型的离子井的载流子浓度相同。
8.如权利要求7所述的检测离子井中载流子迁移的方法，其特征在于，不同浓度的所述离子井组垂直于所述金属铜方向排列。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
